[發明專利]一種使用區域連續鑄造法制備區熔硅料的方法無效
| 申請號： | 201210123940.0 | 申請日： | 2012-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN103374747A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 丁欣 | 申請（專利權）人： | 丁欣 |
| 主分類號： | C30B13/00 | 分類號： | C30B13/00;C30B29/06;B22D11/16 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200123 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 使用 區域 連續 鑄造 法制 備區熔硅料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種使用區域連續鑄造法制備區熔硅料的方法
權利要求為利用如圖一或圖二所示的區域連續鑄造法，對原生還原爐制備的普通硅棒進行區熔拉晶前的預制備的方法。
無論鑄造是自上而下或之下而上，都屬于本發明權利要求范圍。
無論是(4)水冷坩堝和加熱器相對固定而硅棒移動，或硅棒相對固定而(4)水冷坩堝和加熱器移動，都屬于本發明權利要求范圍。
選擇不同的坩堝材料，或者放棄感應加熱使用其他加熱方式并不構成對本發明的合理回避。
本發明為圖一二所示及具體實現方式中所提供的各種設計元素的有機結合，對其中若干種元素刪減修改或者添加，不形成對本發明的合理規避。任何熟悉硅材料技術的工程技術人員可以理解這些方法同本發明互為等價，不構成對本發明的合理規避。
2.區域連續鑄造法制備區熔硅料的鑄造工藝控制方法
權利要求為在(4)水冷坩堝及加熱器內設計溫度及視像傳感器，在(5)硅棒上平臺(6)硅棒下平臺上分別設置稱重傳感器的方法。使用任一上述傳感器提供鑄造工藝所需要的控制參數，均為本權利要求的范圍。
3.區域連續鑄造法制備區熔硅料的摻雜方法
在(4)水冷坩堝及加熱器設置導入通道，可以在鑄造時對硅棒進預摻雜。氣，液，固三種相態，均為本權利要求的內容范圍。
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