技術領域

本發明涉及襯底處理裝置和固體原料補充方法，特別是涉及用于處理半導體晶片等襯底的襯底處理裝置和對該襯底處理裝置補充固體原料的固體原料補充方法。

背景技術

在半導體晶片的表面形成薄膜的情況下，使用具有內部包括半導體晶片載置部的處理室的襯底處理裝置。供給原料氣體的原料供給系統連接于處理室，原料氣體從原料供給系統供給到處理室內，在半導體晶片上形成薄膜。

在使用了襯底處理裝置的薄膜形成過程中，在將GaCl₃那樣的常溫下是固體的物質作為原料而使用的情況下，設有收容有固體原料的固體原料箱，在固體原料箱內使固體原料升華，將升華了的氣體原料作為原料氣體，通過原料供給系統的配管供給到處理室內。

以往，在固體原料箱內的固體原料耗盡時，從原料供給系統的配管卸下原料耗盡的固體原料箱，更換為充分填充有固體原料的固體原料箱。

對于這樣的現有技術，為了更換固體原料箱而從原料供給系統的配管卸下原料耗盡的固體原料箱時，原料供給系統的配管向大氣敞開，大氣中的水分等附著在配管內，存在用于去除水分的凈化時間變長這樣的問題。

因此，開發了能夠不卸下固體原料箱地對固體原料箱補充原料的技術(參照日本特開2010-40695號公報)。

在該技術中，使用包括保持固體原料的原料容器、連接于原料容器并對原料容器補充固體原料的原料補充容器、加熱原料補充容器的加熱器和能夠調整原料容器和原料補充容器的內部壓力的壓力調整機構的裝置，對原料補充容器的內部壓力進行減壓，加熱原料補充容器的內部使固體原料升華并變相為氣體原料，通過對原料容器的內部壓力進行減壓，將來自原料補充容器的氣體原料捕集到原料容器中，將原料補充容器的內部降溫，通過重復上述操作規定次數，從而從原料補充容器對原料容器補充固體原料。

此外，為了通過加熱固體原料使其蒸發而得到成膜用的原料氣體，也提出了以下的裝置，該裝置包括積存固體原料的固體原料積存部、通過使從固體原料積存部供給的固體原料熔融而得到液體原料的固體原料接受室、和與固體原料接受室連通并使從固體原料接受室供給的液體原料氣化的氣化室(日本特開2010-144221號公報)。

可是，對于這樣的固體原料補充技術，裝置結構復雜，補充方法也復雜。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種能夠以簡單的結構補充固體原料的襯底處理裝置以及能夠簡單地補充固體原料的固體原料補充方法。

根據本發明的一技術方案，提供一種襯底處理裝置，該襯底處理裝置包括：

處理室，能夠收容襯底；以及

原料供給系統，使固體原料升華而生成上述襯底處理用的氣體原料，并向上述處理室供給該氣體原料，

上述原料供給系統包括：

固體原料容器，收容上述固體原料；

第1配管，連接于上述固體原料容器與上述處理室之間；以及

第2配管，與上述固體原料容器連接，且上述第2配管具有用于安裝保持補充用的上述固體原料的原料補充容器的安裝部。

根據本發明的其他的技術方案，提供一種襯底處理裝置，該襯底處理裝置包括：

處理室，能夠收容襯底；

原料供給系統，使固體原料升華而生成上述襯底處理用的氣體原料，并向上述處理室供給該氣體原料；以及

控制部，

上述原料供給系統包括：

固體原料容器，收容上述固體原料；

第1配管，連接于上述固體原料容器與上述處理室之間；

第2配管，與上述固體原料容器連接，且上述第2配管具有用于安裝保持補充用的上述固體原料的原料補充容器的安裝部；

第3配管，連接于上述第2配管與真空排氣機構之間；

第4配管，連接于上述第2配管，用于導入凈化氣體；

第1閥，連接于上述第3配管的中途；以及

第2閥，連接于上述第4配管的中途，

上述控制部是以下的控制機構，即，為了從上述原料補充容器向上述固體原料容器補充上述固體原料而在上述安裝部上安裝上述原料補充容器時，控制上述真空排氣機構、上述第1閥和上述第2閥，使得在對上述第2配管內進行抽真空之后向上述第2配管內導入上述凈化氣體。

根據本發明的另一其他的技術方案，提供一種襯底處理裝置，該襯底處理裝置包括：

處理室，能夠收容襯底；以及

原料供給系統，使固體原料升華而生成上述襯底處理用的氣體原料，并向上述處理室供給該氣體原料，

上述原料供給系統包括：