【技術領域】

本發明涉及一種用于觸摸屏的透明薄膜的蝕刻方法，特別是涉及一種ITO薄膜蝕刻方法。

【背景技術】

摻錫氧化銦(即Indium?Tin?Oxide，簡稱ITO)，是一種n型半導體材料，由于具有高導電率、高可見光透過率、高機械硬度和化學穩定性，因此，它是一種常用的透明導電材料，可作為各類觸摸屏的透明電極。如圖1所示，在實際的運用中，ITO層13先是采用物理真空方法蒸鍍于一定的基材11，比如玻璃，聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene?terephthalate，簡稱PET)，表面制備成ITO薄膜10，然后根據需要，將ITO薄膜10蝕刻成特定的圖案作為透明電極。基材為PET的ITO薄膜，因為具有柔軟特性，近些年運用非常廣泛。PET基材的ITO薄膜作為電極的運用中，是被蝕刻成特定的圖案。如圖2所示，由于ITO層13的膨脹系數與基材PET?11的膨脹系數差異巨大，導致ITO薄膜10的蝕刻區域與非蝕刻區域的應力差異顯著，在經過一次完整的銀漿烘烤熱歷程(升溫-恒溫-降溫)后，在ITO非蝕刻區域產生明顯的應力差彎曲形變，類似具有溫度記憶功能雙金屬貼片之形變。此應力差彎曲形變跟隨ITO薄膜的圖案分布于ITO薄膜表面，在貼合成層狀電容式觸摸屏后，仍然存留在ITO薄膜表面不會消失。在一般光線及視角下就可以發現此圖案，并且在大視角的情況下觀察，此現象更加明顯。

【發明內容】

鑒于上述狀況，有必要提供一種可減輕ITO薄膜的圖案的可視性的ITO薄膜蝕刻方法。

一種ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一ITO薄膜，所述ITO薄膜包括透明樹脂基板及形成于所述透明樹脂基板上的ITO導電層；

將所述ITO薄膜位于預設視窗區域之外的ITO導電層蝕刻除去，所述ITO薄膜上留下的ITO導電層覆蓋整個所述預設視窗區域；

在所述ITO薄膜的ITO導電層的蝕刻區域上印刷導電銀漿，形成線路；

對印刷有導電銀漿的所述ITO薄膜進行烘烤熱處理；及

采用激光蝕刻的方法蝕刻所述預設視窗區域之內的ITO導電層，以形成圖案。

在其中一個實施例中，所述激光蝕刻的步驟采用的激光器功率為10～25瓦。

在其中一個實施例中，所述激光蝕刻的步驟采用激光的光斑直徑為30～40微米。

在其中一個實施例中，所述激光蝕刻的步驟采用的激光頻率為150～250千赫茲。

在其中一個實施例中，所述激光蝕刻的步驟采用的激光的光斑移動速度為1000～3000毫米/秒。

在其中一個實施例中，在形成所述圖案之后，還包括如下步驟：

在顯微鏡下檢查ITO薄膜的線路通斷情況，若合格，則在ITO薄膜的ITO導電層所在的一側覆蓋保護膜。

在其中一個實施例中，所述ITO薄膜烘烤的溫度為120～160度。

在其中一個實施例中，所述ITO薄膜烘烤的時間為30～120分鐘。

在其中一個實施例中，所述預設視窗區域與觸摸屏的視窗區域大小相等。

在其中一個實施例中，所述ITO薄膜位于所述預設視窗區域之外的ITO導電層采用化學蝕刻或光蝕刻的方法除去。

由于ITO薄膜在進行銀漿烘烤熱處理過程后，整塊ITO薄膜的周緣應力差彎曲形變現象較為嚴重，但ITO薄膜預設視窗區域內相對保持平整完好，再通過激光蝕刻方法形成圖案，避免形成的圖案經過烘烤熱處理而在預設視窗區域內產生應力差彎曲形變現象，因此，上述ITO薄膜蝕刻方法可減輕ITO薄膜的圖案的可視性。

另外，上述ITO薄膜蝕刻方法采用激光蝕刻的方法除去ITO導電層，避免采用對環境污染較為嚴重的化學蝕刻方法，因此，上述ITO薄膜蝕刻方法對環境的污染較小。

【附圖說明】

圖1為傳統的ITO薄膜蝕刻后的結構示意圖；

圖2為圖1所示蝕刻后的ITO薄膜經過銀漿烘烤處理之后的結構示意圖；

圖3為本發明實施方式ITO薄膜蝕刻方法的流程圖；

圖4為采用本發明實施方式ITO薄膜蝕刻方法的蝕刻后的ITO薄膜的平面示意圖；

圖5為圖4所示的蝕刻后的ITO薄膜沿III-III線的剖面圖。

【具體實施方式】