[發明專利]ITO薄膜蝕刻方法有效
| 申請號： | 201210059887.2 | 申請日： | 2012-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN103310903A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 程志政;唐根初;蔡榮軍 | 申請（專利權）人： | 深圳歐菲光科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01B13/00 | 分類號： | H01B13/00;B23K26/36 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 518106 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ito 薄膜 蝕刻 方法 | ||
1.一種ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一ITO薄膜，所述ITO薄膜包括透明樹脂基板及形成于所述透明樹脂基板上的ITO導電層；
將所述ITO薄膜位于預設視窗區域之外的ITO導電層蝕刻除去，所述ITO薄膜上留下的ITO導電層覆蓋整個所述預設視窗區域；
在所述ITO薄膜的ITO導電層的蝕刻區域上印刷導電銀漿，形成線路；
對印刷有導電銀漿的所述ITO薄膜進行烘烤熱處理；及
采用激光蝕刻的方法蝕刻所述預設視窗區域之內的ITO導電層，以形成圖案。
2.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述激光蝕刻的步驟采用的激光器功率為10～25瓦。
3.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述激光蝕刻的步驟采用激光的光斑直徑為30～40微米。
4.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述激光蝕刻的步驟采用的激光頻率為150～250千赫茲。
5.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述激光蝕刻的步驟采用的激光的光斑移動速度為1000～3000毫米/秒。
6.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，在形成所述圖案之后，還包括如下步驟：
在顯微鏡下檢查ITO薄膜的線路通斷情況，若合格，則在ITO薄膜的ITO導電層所在的一側覆蓋保護膜。
7.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述ITO薄膜烘烤的溫度為120～160度。
8.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述ITO薄膜烘烤的時間為30～120分鐘。
9.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述預設視窗區域與觸摸屏的視窗區域大小相等。
10.如權利要求1所述的ITO薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述ITO薄膜位于所述預設視窗區域之外的ITO導電層采用化學蝕刻或光蝕刻的方法除去。
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