[發(fā)明專利]具有多生長腔的生長碳化硅單晶的坩堝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210050830.6 | 申請日： | 2012-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN103290476A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 忻雋;孔海寬;嚴成峰;劉熙;肖兵;楊建華;施爾畏 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海硅酸鹽研究所中試基地;中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 郭輝 |
| 地址： | 201800 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 生長 碳化硅 坩堝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種基于物理氣相輸運技術(shù)生長碳化硅單晶的坩堝，其特征在于，所述坩堝是多生長腔結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述坩堝是具有獨立的料腔和生長腔的分體式多段結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的坩堝，其特征在于，在所述分體式多段結(jié)構(gòu)中，各段之間通過螺紋或者臺階口連接。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的坩堝，其特征在于，所述坩堝具有3～5個獨立的生長腔。
5.如權(quán)利要求1-3任一項所述的坩堝，其特征在于，所述生長腔的直徑是50mm～80mm。
6.如權(quán)利要求1-3任一項所述的坩堝，其特征在于，所述生長腔的高度超過所述坩堝總高度的20％，且所述料腔高度不小于所述坩堝總高度的50％。
7.如權(quán)利要求1-3任一項所述的坩堝，其特征在于，所述坩堝的加工原料為高純、高致密度石墨，其總雜質(zhì)含量小于100ppm，密度大于1.8g/cm3，氣孔率小于15％。
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