[發明專利]成像裝置和成像系統有效
| 申請號: | 201210036291.0 | 申請日: | 2012-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN102646692A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發明(設計)人: | 鈴木隆典 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 曹瑾 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 裝置 系統 | ||
技術領域
本發明涉及使用成像板的成像裝置。
背景技術
使用具有大面積光電轉換單元的光電檢測器的超高感度成像裝置正在被研究。成像器件的尺寸(入射面的面積)的增加使得能夠在增加光電檢測器的面積的同時實現足夠的分辨率(即,實現的光電檢測器的數量增加)。可通過在硅板或玻璃板中形成光電檢測器以薄板狀成像器件(成像板)的形式實現這種成像器件。
現在,有效地使用保持板以確保大型、薄型的成像板的機械強度。日本專利公開No.2006-302990公開了保持大面積成像板的基板(保持板),成像板和基板通過諸如銀環氧樹脂等的粘接劑被粘接。
發明內容
根據本發明的一個方面的成像裝置包括:具有光入射的前面和具有包含中心的中間區域和包圍中間區域的周邊區域的后面的成像板;具有被配置為從后面側保持成像板的保持面的保持板;和通過被固定于成像板和保持板被設置在周邊區域和保持面之間的中間部件,其中,中間部件不在中間區域的至少一部分和從保持面延伸的平面上的面向中間區域的面向(facing)區域的至少一部分之間延伸,并且在其間形成空隙,并且成像板的線膨脹系數和中間部件的線膨脹系數之間的算術差小于保持板的線膨脹系數和中間部件的線膨脹系數之間的算術差。由于本公開的一個方面,提供可減少由于溫度變化導致的損傷和變形的成像裝置。
參照附圖閱讀示例性實施例的以下說明,本發明的其它特征將變得十分明顯。
附圖說明
圖1A和圖1B是用于描述第一實施例的示意圖。
圖2A和圖2B是用于描述第二實施例的示意圖。
圖3A和圖3B是用于描述第三實施例的示意圖。
圖4A和圖4B是用于描述第四實施例的示意圖。
圖5A和圖5B是用于描述第五實施例的示意圖。
圖6A和圖6B是用于描述第六實施例的示意圖。
圖7A和圖7B是用于描述第七實施例的示意圖。
圖8A和圖8B是用于描述第八實施例的示意圖。
圖9是用于描述第九實施例的示意圖。
圖10A和圖10B是用于描述實施例的示意圖。
圖11A和圖11B是用于描述成像裝置的例子的示意圖。
具體實施方式
首先參照圖11A和圖11B描述根據本發明的實施例的成像裝置1的概要。成像裝置1具有成像板2和保持板10,圖11A示出成像板2和保持板10之間的位置關系。圖11B是沿圖11A中的成像板2的XIB-XIB的斷面圖。
成像板2是具有前面210和作為前面210的相對側的面的后面220這兩個主面的固態成像器件(圖像傳感器)。被成像的光入射到前面210,因此,前面210也可被稱為入射面。一般地,兩個主面,即,前面210和后面220具有相同的形狀和相同的面積,使得它們的形狀為正方形。前面的面積越大(因此后面220越大),本發明的實施例的優點變得越明顯,但是,本發明的適用性不受前面210的面積限制。在實際的使用中,前面210的面積的例子可以為300mm2或1000mm2左右。并且,即使通過對于前面210具有10000mm2左右的面積(這是熱膨脹的影響會較大的尺寸)的成像裝置1,本發明的實施例也可產生充分的優點。
前面210具有第一區域211和包圍第一區域211的第二區域212。后面220具有周邊區域221和被周邊區域221包圍的中間區域222。因此,第二區域212是在前面210上位于第一區域211的外側(在前面210的外周和第一區域211的外周之間)的區域。周邊區域221是在后面220上位于中間區域222的外側的區域(在后面220的外周和中間區域222的外周之間)。中間區域222包含后面220的中心。在不能明確確定中心的情況下,后面220的幾何重心被取為后面220的中心。中間區域222可占據后面220的面積的1/4或更多,或者可占據后面220的面積的1/2或更多。
第二區域212是與周邊區域221對應的區域即從后面220投影到前面210上的周邊區域221的具有與周邊區域221基本上相同的形狀的正交投影區域。第一區域211是與中間區域222對應的區域即從后面220投影到前面210上的中間區域222的具有與中間區域222基本上相同的形狀的正交投影區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





