[發(fā)明專利]成像裝置和成像系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210036291.0 | 申請日: | 2012-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN102646692A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鈴木隆典 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 曹瑾 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 成像 裝置 系統(tǒng) | ||
1.一種成像裝置,包括:
成像板,具有光入射的前面、和具有包含中心的中間區(qū)域和包圍中間區(qū)域的周邊區(qū)域的后面;
保持板,具有被配置為從所述后面?zhèn)缺3炙龀上癜宓谋3置?;?/p>
中間部件,通過被固定于所述成像板和所述保持板而被設(shè)置在所述周邊區(qū)域和所述保持面之間,
其中,所述中間部件不在所述中間區(qū)域的至少一部分和從所述保持面延伸的平面上的面向所述中間區(qū)域的面向區(qū)域的至少一部分之間延伸,并且在其間形成空隙,并且,
其中,所述成像板的線膨脹系數(shù)和所述中間部件的線膨脹系數(shù)之間的算術(shù)差小于所述保持板的線膨脹系數(shù)和所述中間部件的線膨脹系數(shù)之間的算術(shù)差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,其中,所述成像板的線膨脹系數(shù)和所述中間部件的線膨脹系數(shù)之間的算術(shù)差小于所述成像板的線膨脹系數(shù)和所述保持板的線膨脹系數(shù)之間的算術(shù)差。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,其中,所述中間部件的厚度為所述保持面和所述周邊區(qū)域之間的距離的一半或更大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,其中,所述中間部件在被分成多個分割的部件的狀態(tài)下被設(shè)置在所述周邊區(qū)域和所述保持面之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,還包括:
被設(shè)置在所述中間部件和所述保持面之間的緩沖部件,
其中,所述緩沖部件的楊氏模量為100MPa或更小,并且所述緩沖部件的厚度為0.1mm或更大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,還包括:
與所述成像板電連接的電路部件,
其中,所述電路部件被固定于所述中間部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的成像裝置,其中,中間部件在被分成多個中間部件的狀態(tài)下設(shè)置在所述周邊區(qū)域和所述保持面之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的成像裝置,其中,所述電路部件被設(shè)置在所述中間部件和所述周邊區(qū)域之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的成像裝置,其中,所述成像板和所述電路部件通過接合導(dǎo)線被電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,其中,所述成像板和所述中間部件的主要材料是硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的成像裝置,其中,所述中間部件的厚度大于等于0.5mm且小于等于2.0mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,其中,所述保持板的主要材料是非磁性金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,其中,所述前面形成凹面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,其中,所述前面的面積為300mm2或更大。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的成像裝置,其中,所述前面的面積為10000mm2或更大。
16.一種成像系統(tǒng),包括:
根據(jù)權(quán)利要求1~15中的任一項的成像裝置;和
信號處理裝置,對其輸入來自所述成像裝置的輸出信號,并且所述信號處理裝置處理所述輸出信號并且輸出圖像信號。
17.一種成像裝置,包括:
成像板,具有光進入到其中的前面、和具有包含中心的中間區(qū)域和包圍中間區(qū)域的周邊區(qū)域的后面;
保持板,具有被配置為從所述后面?zhèn)缺3炙龀上癜宓谋3置?;?/p>
中間部件,通過被固定于所述成像板和所述保持板而被設(shè)置在所述周邊區(qū)域和所述保持面之間,
其中,所述前面的面積為300mm2或更大,
所述中間部件不在所述中間區(qū)域的至少一部分和從所述保持面延伸的平面上的面向所述中間區(qū)域的面向區(qū)域的至少一部分之間延伸,并且在其間形成空隙,并且,
其中,所述成像板和所述中間部件的主要材料是硅,并且所述保持板的主要材料是非磁性金屬。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的成像裝置,其中,所述中間部件的厚度大于等于0.5mm且小于等于2.0mm,并且所述前面的面積為10000mm2或更大。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





