技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種激光刻蝕電子產(chǎn)品的方法，特別是涉及ITO銀漿激光刻蝕方法。

背景技術(shù)

用于刻蝕顯示觸摸屏ITO薄膜、玻璃基底或PET基底的銀漿激光刻蝕設(shè)備多采用二維振鏡頭和F-θ透鏡組組合，二維振鏡頭安裝在機(jī)架、升降機(jī)構(gòu)或二維運(yùn)動(dòng)平臺(tái)上，F(xiàn)-θ透鏡組安裝在二維振鏡頭下部，被刻蝕的ITO薄膜或銀漿薄膜放置在F-θ透鏡下方的工作臺(tái)上，二維振鏡頭的振動(dòng)電機(jī)偏轉(zhuǎn)使激光光束運(yùn)動(dòng)，再經(jīng)F-θ透鏡組聚焦的焦點(diǎn)軌跡為激光刻蝕的軌跡，也就是所要刻蝕的圖形。

對(duì)于單獨(dú)的ITO薄膜或單獨(dú)的銀漿薄膜，只要單獨(dú)地對(duì)ITO薄膜或單獨(dú)地對(duì)銀漿薄膜進(jìn)行刻蝕就可以完成加工。

專利號(hào)為200710077447.9的一種ITO薄膜激光蝕刻設(shè)備及蝕刻方法，包括機(jī)架、工控機(jī)、顯示系統(tǒng)、激光發(fā)生器、切割頭、吸附盤、X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)、Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)和Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)，所述工控機(jī)、激光發(fā)生器、顯示系統(tǒng)和Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)都安裝在機(jī)架上，所述切割頭安裝在Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，所述吸附盤固定在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，位于Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的上方，所述X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)安裝在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，并交叉呈十字狀，Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)固定安裝在機(jī)架上。該蝕刻方法包括：預(yù)設(shè)激光蝕刻圖形；將被蝕刻產(chǎn)品放置在激光蝕刻設(shè)備的工作臺(tái)上，并進(jìn)行定位；根據(jù)所述預(yù)設(shè)的激光蝕刻圖形控制激光蝕刻設(shè)備對(duì)被蝕刻產(chǎn)品進(jìn)行蝕刻。

專利號(hào)為201110128579.6的用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置及其方法，高頻率短脈沖激光器的輸出端布置有光閘，光閘的輸出端設(shè)置有擴(kuò)束鏡，擴(kuò)束鏡的輸出端依次布置有1/2波片和格蘭棱鏡，格蘭棱鏡的輸出端布置有45度全反射鏡，45度全反射鏡的輸出端依次布置有振鏡和掃描場(chǎng)鏡，掃描場(chǎng)鏡正對(duì)于四軸吸附平臺(tái)，四軸吸附平臺(tái)上安裝有同軸吹吸氣集塵系統(tǒng)，四軸吸附平臺(tái)對(duì)角位置分別安裝有CCD對(duì)位觀察系統(tǒng)。采用高頻率紅外脈沖激光器作為激光源，通過對(duì)角線CCD抓靶加工材料的靶標(biāo)位置，確定加工圖形與平臺(tái)上的樣品位置一一對(duì)應(yīng)，對(duì)不同觸摸屏產(chǎn)品中不可視區(qū)域銀漿或者銅薄膜或鉬鋁鉬層進(jìn)行蝕刻，使不可視區(qū)域的薄膜材料在高頻率短脈沖紅外激光器作用下氣化而達(dá)到蝕除目的。所述的高頻率短脈沖激光器波長(zhǎng)1000~1100nm、脈寬100ps~50ns、頻率10kHz~200kHz。

專利號(hào)為200710077447.9的一種ITO薄膜激光蝕刻設(shè)備及蝕刻方法，提供了ITO薄膜的刻蝕方法；專利號(hào)為201110128579.6的用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置及其方法，提供了銀漿刻蝕的方法。

然而，現(xiàn)在很多電子產(chǎn)品的基底上，特別的顯示觸摸屏的基底上，既有ITO薄膜，同時(shí)又有銀漿，ITO薄膜和銀漿都要進(jìn)行刻蝕，專利號(hào)為200710077447.9的一種ITO薄膜激光蝕刻設(shè)備及蝕刻方法和專利號(hào)為201110128579.6的用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置及其方法無法完成ITO薄膜和銀漿的同時(shí)加工。而目前采用先在一種設(shè)備上加工銀漿或ITO薄膜，再在另一種設(shè)備上加工ITO薄膜或銀漿，這種不但費(fèi)時(shí)費(fèi)力，設(shè)備投資大，而且要兩次定位加工，圖形定位困難，成品率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種ITO銀漿激光刻蝕方法，此ITO銀漿激光刻蝕方法能一次完成ITO薄膜和銀漿的刻蝕，生產(chǎn)率高，成品率高，設(shè)備投資小。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于：

①、將ITO銀漿工件正面朝上放置在激光刻蝕機(jī)的工作平臺(tái)上并定位；

②、調(diào)整激光刻蝕機(jī)的工作平臺(tái)或激光刻蝕機(jī)激光頭高度，使激光刻蝕機(jī)的激光焦點(diǎn)落在ITO銀漿工件正面平面上；

③、將要刻蝕的ITO圖形和銀漿圖形分別輸入或?qū)爰す饪涛g軟件，并作為兩個(gè)圖層；

④、分別對(duì)ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層設(shè)置激光參數(shù)和運(yùn)動(dòng)參數(shù)，ITO圖形圖層的激光功率2W~6W，激光脈沖頻率為30kH_z~110kH_z，激光刻蝕線速度為500mm/s~1500mm/s，刻蝕重復(fù)次數(shù)為1次；銀漿圖形圖層的激光功率2W~6W，激光脈沖頻率為40H_z~80H_z，激光刻蝕線速度為500mm/s~1500mm/s，刻蝕重復(fù)次數(shù)為2次~4次；

⑤、啟動(dòng)激光刻蝕機(jī)，對(duì)ITO銀漿工件的ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層進(jìn)行刻蝕。

所述的ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于：激光刻蝕機(jī)的激光波長(zhǎng)為1064nm、F-θ透鏡組的焦距在150~300mm之間、激光器的額定輸出功率為5W~20W。