技術領域

本發明是有關于一種凸塊工藝，特別是有關于一種防止銅離子游離的凸塊工藝。

背景技術

由于目前的電子產品越來越輕薄短小，因此內部電路布局亦越來越密集，然而，此種電路布局容易因為相鄰的電連接組件距離太近而導致短路的情形。

由此可見，上述現有的技術在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。因此如何能創設一種新型結構的凸塊工藝，亦成為當前業界極需改進的目標。

發明內容

本發明的目的在于，克服現有的技術存在的缺陷，而提供一種新型結構的凸塊工藝，所要解決的技術問題是使其可防止所述銅凸塊的銅離子游離而導致電性短路的情形，且由于各該凸塊隔離層是可防止所述銅凸塊的銅離子游離，因此相鄰銅凸塊的間距可進一步縮小，進而提升電路布線密度。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種凸塊工藝，其中至少包含：提供一硅基板，該硅基板是具有一表面、多個設置在該表面的焊墊及一設置在該表面的保護層，該保護層是具有多個開口，且所述開口是顯露所述焊墊；形成一含鈦金屬層在該硅基板，該含鈦金屬層是覆蓋該保護層及所述焊墊，且該含鈦金屬層是具有多個第一區及多個位于所述第一區外側的第二區；形成一光阻層在該含鈦金屬層；圖案化該光阻層以形成多個開槽，所述開槽是對應該含鈦金屬層的所述第一區且各該開槽是具有一內側壁；形成多個銅凸塊在所述開槽，各該銅凸塊是具有一第一頂面及一第一環壁；進行一加熱步驟，以使該光阻層的各該開槽形成擴孔，而使各該開槽的該內側壁及各該銅凸塊的該第一環壁之間形成有一間距；形成多個凸塊隔離層在所述間距、各該銅凸塊的該第一頂面及該第一環壁，且各該凸塊隔離層具有一第二頂面；形成多個接合層在所述凸塊隔離層的所述第二頂面；移除該光阻層；以及移除該含鈦金屬層的所述第二區，并使該含鈦金屬層的各該第一區形成為一位于各該凸塊隔離層下的凸塊下金屬層。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的凸塊工藝，其中所述的各該凸塊下金屬層具有一第二環壁且該第二環壁具有一第一外周長，各該凸塊隔離層另具有一第三環壁且該第三環壁具有一第二外周長，該第二外周長不小于該第一外周長。

前述的凸塊工藝，其中所述的各該凸塊下金屬層具有一第二環壁，且各該第二環壁及各該第一環壁為平齊。

前述的凸塊工藝，其中所述的凸塊下金屬層的材質是選自于鈦/鎢/金、鈦/銅或鈦/鎢/銅其中之一。

前述的凸塊工藝，其中所述的該加熱工藝的玻璃轉換溫度是介在70-140℃之間。

前述的凸塊工藝，其中所述的接合層的材質是為金。

前述的凸塊工藝，其中所述的凸塊隔離層的材質是選自于鎳、鈀或金其中之一。

前述的凸塊工藝，其中所述的在形成多個銅凸塊在所述開槽的步驟中，各該銅凸塊的該第一環壁是接觸各該開槽的該內側壁。

前述的凸塊工藝，其中所述的該保護層另具有一顯露面，各該凸塊隔離層另具有一底面，該顯露面及該底面之間是具有一間隙。

本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上可知，為達到上述目的，本發明提供了一種凸塊工藝，其包含提供一硅基板，該硅基板是具有一表面、多個設置在該表面的焊墊及一設置在該表面的保護層，該保護層是具有多個開口，且所述開口是顯露所述焊墊；形成一含鈦金屬層在該硅基板，該含鈦金屬層是覆蓋該保護層及所述焊墊，且該含鈦金屬層是具有多個第一區及多個位于所述第一區外側的第二區；形成一光阻層在該含鈦金屬層；圖案化該光阻層以形成多個開槽，所述開槽是對應該含鈦金屬層的所述第一區且各該開槽是具有一內側壁；形成多個銅凸塊在所述開槽，各該銅凸塊是具有一第一頂面及一第一環壁；進行一加熱步驟，以使該光阻層的各該開槽形成擴孔，而使各該開槽的該內側壁及各該銅凸塊的該第一環壁之間形成有一間距；形成多個凸塊隔離層在所述間距、各該銅凸塊的該第一頂面及該第一環壁，且各該凸塊隔離層是具有一第二頂面；形成多個接合層在所述凸塊隔離層的所述第二頂面；移除該光阻層；以及移除該含鈦金屬層的所述第二區，并使該含鈦金屬層的各該第一區形成為一位于各該凸塊隔離層下的凸塊下金屬層。由于各該凸塊隔離層是包覆各該銅凸塊，因此可防止所述銅凸塊的銅離子游離而導致電性短路的情形，且由于各該凸塊隔離層是可防止所述銅凸塊的銅離子游離，因此相鄰銅凸塊的間距可進一步縮小，進而提升電路布線密度。