1.一種凸塊工藝，其特征在于至少包含：

提供一硅基板，該硅基板是具有一表面、多個(gè)設(shè)置在該表面的焊墊及一設(shè)置在該表面的保護(hù)層，該保護(hù)層是具有多個(gè)開口，且所述開口是顯露所述焊墊；

形成一含鈦金屬層在該硅基板，該含鈦金屬層是覆蓋該保護(hù)層及所述焊墊，且該含鈦金屬層是具有多個(gè)第一區(qū)及多個(gè)位于所述第一區(qū)外側(cè)的第二區(qū)；

形成一光阻層在該含鈦金屬層；

圖案化該光阻層以形成多個(gè)開槽，所述開槽是對應(yīng)該含鈦金屬層的所述第一區(qū)且各該開槽是具有一內(nèi)側(cè)壁；

形成多個(gè)銅凸塊在所述開槽，各該銅凸塊是具有一第一頂面及一第一環(huán)壁；

進(jìn)行一加熱步驟，以使該光阻層的各該開槽形成擴(kuò)孔，而使各該開槽的該內(nèi)側(cè)壁及各該銅凸塊的該第一環(huán)壁之間形成有一間距；

形成多個(gè)凸塊隔離層在所述間距、各該銅凸塊的該第一頂面及該第一環(huán)壁，且各該凸塊隔離層具有一第二頂面；

形成多個(gè)接合層在所述凸塊隔離層的所述第二頂面；

移除該光阻層；以及

移除該含鈦金屬層的所述第二區(qū)，并使該含鈦金屬層的各該第一區(qū)形成為一位于各該凸塊隔離層下的凸塊下金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的凸塊工藝，其特征在于其中所述的各該凸塊下金屬層具有一第二環(huán)壁且該第二環(huán)壁具有一第一外周長，各該凸塊隔離層另具有一第三環(huán)壁且該第三環(huán)壁具有一第二外周長，該第二外周長不小于該第一外周長。

3.如權(quán)利要求1所述的凸塊工藝，其特征在于其中所述的各該凸塊下金屬層具有一第二環(huán)壁，且各該第二環(huán)壁及各該第一環(huán)壁為平齊。

4.如權(quán)利要求1所述的凸塊工藝，其特征在于其中所述的凸塊下金屬層的材質(zhì)是選自于鈦/鎢/金、鈦/銅或鈦/鎢/銅其中之一。

5.如權(quán)利要求1所述的凸塊工藝，其特征在于其中所述的該加熱工藝的玻璃轉(zhuǎn)換溫度是介于70-140℃之間。

6.如權(quán)利要求1所述的凸塊工藝，其特征在于其中所述的接合層的材質(zhì)是為金。

7.如權(quán)利要求1所述的凸塊工藝，其特征在于其中所述的凸塊隔離層的材質(zhì)是選自于鎳、鈀或金其中之一。

8.如權(quán)利要求1所述的凸塊工藝，其特征在于其中所述的在形成多個(gè)銅凸塊在所述開槽的步驟中，各該銅凸塊的該第一環(huán)壁是接觸各該開槽的該內(nèi)側(cè)壁。

9.如權(quán)利要求1所述的凸塊工藝，其特征在于其中所述的該保護(hù)層另具有一顯露面，各該凸塊隔離層另具有一底面，該顯露面及該底面之間是具有一間隙。