1.?一種提高有源器件性能的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，設(shè)計(jì)襯底為條形結(jié)構(gòu)，并將之安置在原有NMOS標(biāo)準(zhǔn)器件D端一側(cè)，與D端的距離為設(shè)計(jì)規(guī)則最小值。

2.一種提高有源器件性能的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，設(shè)計(jì)襯底為條形結(jié)構(gòu)，并將之安置在原有PMOS標(biāo)準(zhǔn)器件S端一側(cè)，與S端的距離為設(shè)計(jì)規(guī)則最小值。

3.如權(quán)利要求1所述的器件設(shè)計(jì)方法，其特征在于，在NMOS器件D端一側(cè)安置條形襯底，限制了D端方向上淺槽隔離區(qū)的寬度，即圖示中的STI寬度，能減小淺槽隔離區(qū)對(duì)NMOS器件的應(yīng)力,最大限度提高NMOS器件驅(qū)動(dòng)能力。

4.如權(quán)利要求1所述的器件設(shè)計(jì)方法，其特征在于，這種設(shè)計(jì)方法不增加額外的金屬或有源區(qū)填充部分，因而節(jié)約了NMOS器件面積。

5.如權(quán)利要求2所述的器件設(shè)計(jì)方法，其特征在于，在PMOS器件S端一側(cè)安置條形襯底，限制了S端方向上淺槽隔離區(qū)的寬度，即圖示中的STI寬度，而D端為開放STI狀態(tài)。

6.由于S端STI應(yīng)力的減小并不明顯影響PMOS性能，因此不會(huì)削弱PMOS器件驅(qū)動(dòng)能力。

7.如權(quán)利要求2所述的器件設(shè)計(jì)方法，其特征在于，將襯底以最小設(shè)計(jì)規(guī)則值靠近PMOS源端，因而節(jié)約了PMOS器件面積。