1.一種半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，包含下列步驟：

(a)提供一測(cè)試底板與一探針卡，所述測(cè)試底板包含多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)，所述探針卡包含多個(gè)探針，所述測(cè)試底板與所述探針卡分別連接至一測(cè)試裝置，以供發(fā)送及接收測(cè)試訊號(hào)；

(b)提供一基板，所述基板設(shè)置于所述測(cè)試底板上，且所述基板包含有多個(gè)第一接觸點(diǎn)及第二接觸點(diǎn)，所述多個(gè)第一接觸點(diǎn)與所述多個(gè)第二接觸點(diǎn)相應(yīng)電性導(dǎo)通，所述多個(gè)第一接觸點(diǎn)與所述測(cè)試底板的所述多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)電性連接；

(c)提供多個(gè)半導(dǎo)體組件，各半導(dǎo)體組件具有多個(gè)第一電性接點(diǎn)及多個(gè)第二電性接點(diǎn)，且所述多個(gè)第一電性接點(diǎn)與所述多個(gè)第二電性接點(diǎn)為對(duì)應(yīng)電性導(dǎo)通，自所述多個(gè)半導(dǎo)體組件中取出一個(gè)半導(dǎo)體組件，將所述半導(dǎo)體組件固接于所述基板上，使所述半導(dǎo)體組件的所述多個(gè)第一電性接點(diǎn)與所述基板的所述多個(gè)第二接觸點(diǎn)電性連接；

(d)繼續(xù)自所述多個(gè)半導(dǎo)體組件中取出另一個(gè)半導(dǎo)體組件，固接于前一個(gè)半導(dǎo)體組件上，并使后取出的半導(dǎo)體組件的多個(gè)第一電性接點(diǎn)與前一個(gè)半導(dǎo)體組件的第二電性接點(diǎn)電性連接；

(e)將所述探針卡的多個(gè)探針接觸后取出的半導(dǎo)體組件的多個(gè)第二電性接點(diǎn)，藉以對(duì)后取出的半導(dǎo)體組件進(jìn)行電性測(cè)試；以及

(f)重復(fù)步驟(d)及步驟(e)，直至所述多個(gè)半導(dǎo)體組件全部測(cè)試完畢。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，其特征在于，進(jìn)一步包含：在步驟(b)之后，將所述探針卡的所述多個(gè)探針接觸所述基板的所述多個(gè)第二接觸點(diǎn)，藉以對(duì)所述基板進(jìn)行電性測(cè)試。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，其特征在于，進(jìn)一步包含：在步驟(d)之前，將所述探針卡的所述多個(gè)探針接觸所述基板上的所述半導(dǎo)體組件的所述多個(gè)第二電性接點(diǎn)，藉以對(duì)所述半導(dǎo)體組件進(jìn)行電性測(cè)試。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，其特征在于，各半導(dǎo)體組件的所述多個(gè)第一電性接點(diǎn)與所述多個(gè)第二電性接點(diǎn)是藉由直通硅穿孔電極對(duì)應(yīng)連接導(dǎo)通。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試底板的所述多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)為全部導(dǎo)通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試底板的電位為零參考電位。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試底板的所述多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)為各自電性獨(dú)立。

8.一種半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，包含下列步驟：

(a)提供一測(cè)試底板與一探針卡，所述測(cè)試底板包含多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)，所述探針卡包含多個(gè)探針，所述測(cè)試底板與所述探針卡分別連接至一測(cè)試裝置，以供發(fā)送及接收測(cè)試訊號(hào)；

(b)提供一基板，所述基板包含有多個(gè)第一接觸點(diǎn)及第二接觸點(diǎn)，所述多個(gè)第一接觸點(diǎn)與所述多個(gè)第二接觸點(diǎn)相應(yīng)電性導(dǎo)通，其中所述等第一接觸點(diǎn)用以供所述探針卡進(jìn)行探觸；

(c)提供多個(gè)半導(dǎo)體組件，各半導(dǎo)體組件具有多個(gè)第一電性接點(diǎn)及多個(gè)第二電性接點(diǎn)，且所述多個(gè)第一電性接點(diǎn)與所述多個(gè)第二電性接點(diǎn)為對(duì)應(yīng)電性導(dǎo)通，自所述多個(gè)半導(dǎo)體組件中取出一個(gè)半導(dǎo)體組件，將所述半導(dǎo)體組件固接于所述基板上，使所述半導(dǎo)體組件的所述多個(gè)第一電性接點(diǎn)與所述基板的所述多個(gè)第二接觸點(diǎn)電性連接；

(d)繼續(xù)自所述多個(gè)半導(dǎo)體組件中取出另一個(gè)半導(dǎo)體組件，固接于前一個(gè)半導(dǎo)體組件上，并使后取出的半導(dǎo)體組件的多個(gè)第一電性接點(diǎn)與前一個(gè)半導(dǎo)體組件的第二電性接點(diǎn)電性連接；

(e)將所述后取出的半導(dǎo)體組件的所述多個(gè)第二電性接點(diǎn)與所述測(cè)試底板的所述多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)電性連接，并將所述探針卡的所述多個(gè)探針接觸所述基板的所述多個(gè)第一接觸點(diǎn)，藉以對(duì)后取出的半導(dǎo)體組件進(jìn)行電性測(cè)試；以及

(f)重復(fù)步驟(d)及步驟(e)，直至所述多個(gè)半導(dǎo)體組件全部測(cè)試完畢。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，其特征在于，進(jìn)一步包含：在步驟(d)之前，將所述半導(dǎo)體組件的所述多個(gè)第二電性接點(diǎn)與所述測(cè)試底板的所述多個(gè)測(cè)試接點(diǎn)電性連接，并將所述探針卡的所述多個(gè)探針接觸所述基板的所述多個(gè)第一接觸點(diǎn)，藉以對(duì)所述半導(dǎo)體組件進(jìn)行電性測(cè)試。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體組件堆棧結(jié)構(gòu)測(cè)試方法，其特征在于，各半導(dǎo)體組件的所述多個(gè)第一電性接點(diǎn)與所述多個(gè)第二電性接點(diǎn)是藉由直通硅穿孔電極對(duì)應(yīng)連接導(dǎo)通。