技術領域

本發明涉及一種半導體發光元件的制造方法，尤其涉及一種發光二極管晶片的切割方法。

背景技術

目前，發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)因具有功耗低、壽命長、體積小及亮度高等特性已經被廣泛應用到很多領域。

通常，單一的發光二極管是由封裝完畢的發光二極管晶片經過切割分離而成。現有的發光二極管晶片切割方式有刀片機械切割法和激光切割法。因發光二極管晶片的基板硬度較高，用刀片機械切割法對刀片的磨損大，切割效率低，成本高。而發光二極管晶片因表面有透明封裝層，用激光切割法切割，產生的高溫會使透明封裝層受熱變色，影響產品的外觀和光效。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種發光二極管晶片的切割方法，以解決現有切割方法導致的切割刀片磨損大和透明封裝層變色的技術問題。

本發明是這樣實現的：

一種發光二極管晶片的切割方法，其包括以下步驟：

提供一個發光二極管晶片，所述發光二極管晶片包括基板、多個發光二極管晶粒及封裝層，所述基板包括一個第一表面及一個與所述第一表面相對的第二表面，所述多個發光二極管晶粒貼設于所述基板的第一表面上，所述封裝層覆蓋于所述基板的第一表面上并覆蓋所述多個發光二極管晶粒；及

采用切割刀和激光分別切割所述發光二極管晶片的封裝層和基板，將所述發光二極管晶片分割成多個發光二極管。

所述發光二極管晶片的切割方法通過采用切割刀和激光分別切割所述發光二極管晶片的封裝層和基板，一方面，減小了切割刀的磨損速度，節省了成本，提高了切割效率；另一方面，由于發光二極管晶片的封裝層不會受熱變色，因此，最后得到的發光二極管具有很好的外觀以及光效。

附圖說明

以下結合附圖描述本發明的實施例，其中：

圖1是本發明實施例提供的一種發光二極管晶片的示意圖；

圖2是圖1中發光二極管晶片采用切割刀切割時的示意圖；

圖3是圖1中發光二極管晶片采用激光切割時的示意圖；及

圖4是本發明實施例提供的一種發光二極管晶片的切割方法流程圖。

具體實施方式

以下基于附圖對本發明的具體實施例進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅作為實施例，并不用于限定本發明的保護范圍。

請參閱圖1，本發明實施例提供的一種發光二極管晶片100包括基板10、多個發光二極管晶粒20及封裝層30。

所述基板10包括一個第一表面11及一個與所述第一表面11相對的第二表面12。

所述發光二極管晶粒20貼設于所述基板10的第一表面11上，并與所述基板10電連接。具體地，所述發光二極管晶粒20可通過共晶、打線或覆晶的方式與所述基板10電連接。

所述封裝層30覆蓋于所述基板10的第一表面11上并覆蓋所述多個發光二極管晶粒20，用于保護發光二極管晶粒20免受灰塵、水氣等影響。所述封裝層30采用透明材料制成，優選地，所述封裝層30可進一步摻雜有熒光粉，所述熒光粉可選自石榴石結構的化合物、氮化物、氮氧化物、硫化物及硅酸鹽中的一種或幾種的混合。

請參閱圖2至圖4，所述發光二極管晶片100的切割方法包括以下步驟：提供所述發光二極管晶片100，所述發光二極管晶片100包括基板10、多個發光二極管晶粒20及封裝層30，所述基板10包括一個第一表面11及一個與所述第一表面11相對的第二表面12，所述多個發光二極管晶粒20貼設于所述基板10的第一表面11上，所述封裝層30覆蓋于所述基板10的第一表面11上并覆蓋所述多個發光二極管晶粒20；及采用切割刀200和激光300分別切割所述發光二極管晶片100的封裝層30和基板10，將所述發光二極管晶片100分割成多個發光二極管。

本實施例中，在切割所述發光二極管晶片100時，先采用切割刀200從基板10的第一表面11一側將所述封裝層30切斷，再采用激光300從所述基板10的第二表面12一側將所述基板10切斷。采用所述切割刀200切割的切割深度可等于所述封裝層30的厚度，或者，采用所述切割刀200切斷所述封裝層30后，可進一步切割基板10厚度的1/20-1/2。所述采用激光300切割的切割深度可為基板10厚度的1/2-1。所述切割刀200可選自樹脂刀、金屬刀或石英刀等。