[發明專利]發光二極管晶片的切割方法有效
| 申請號： | 201110331893.4 | 申請日： | 2011-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN102368521A | 公開（公告）日： | 2012-03-07 |
| 發明（設計）人： | 楊文華 | 申請（專利權）人： | 深圳市瑞豐光電子股份有限公司;寧波市瑞康光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市維邦知識產權事務所 44269 | 代理人： | 黃莉 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 晶片 切割 方法 | ||
1.一種發光二極管晶片的切割方法，其包括以下步驟：
提供一個發光二極管晶片，所述發光二極管晶片包括基板、多個發光二極管晶粒及封裝層，所述基板包括一個第一表面及一個與所述第一表面相對的第二表面，所述多個發光二極管晶粒貼設于所述基板的第一表面上，所述封裝層覆蓋于所述基板的第一表面上并覆蓋所述多個發光二極管晶粒；及
采用切割刀和激光分別切割所述發光二極管晶片的封裝層和基板，將所述發光二極管晶片分割成多個發光二極管。
2.如權利要求1所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述發光二極管晶片時，先采用切割刀從基板的第一表面一側將所述封裝層切斷，再采用激光從所述基板的第二表面一側將所述基板切斷。
3.如權利要求2所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封裝層的厚度。
4.如權利要求2所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切斷所述封裝層后，又進一步切割基板厚度的1/20-1/2。
5.如權利要求2所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度為基板厚度的1/2-1。
6.如權利要求1所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述發光二極管晶片時，先采用激光從所述基板的第二表面一側切割所述基板，再采用切割刀從基板的第一表面一側將發光二極管晶片切斷。
7.如權利要求6所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封裝層的厚度。
8.如權利要求7所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切斷所述封裝層后，又進一步切割基板厚度的1/20-1/2。
9.如權利要求6所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度為基板厚度的1/2-1。
10.如權利要求1所述的發光二極管晶片的切割方法，其特征在于，所述切割刀選自樹脂刀、金屬刀或石英刀。
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