1.一種電路板，包括：

基底，具有內部電路圖案；

絕緣層，覆蓋所述基底；

過孔，穿透所述基底和所述絕緣層，以暴露所述內部電路圖案；

以及

導電連通體，包含在所述過孔中，

其中，所述基底包括由樹脂材料制成的芯層，并且

所述芯層包括由在使用堿性化學液體時與所述絕緣層相比具有更快蝕刻速率的材料制成的聚合物樹脂層。

2.根據權利要求1所述的電路板，其中，所述芯層和所述絕緣層由具有樹脂和填料的聚合物樹脂組合物制成，并且

與所述絕緣層相比，所述芯層中用于樹脂的填料的含量相對較高。

3.根據權利要求2所述的電路板，其中，所述芯層被形成為填料相對于樹脂的含量比為0.8至1.5。

4.根據權利要求1所述的電路板，其中，所述芯層和所述絕緣層由具有環氧樹脂和雙馬來酰亞胺三嗪樹脂的復合樹脂組合物制成，并且

與所述絕緣層相比，所述芯層具有較高的環氧樹脂含量。

5.根據權利要求1所述的電路板，其中，所述芯層由環氧樹脂制成，

并且

所述絕緣層由雙馬來酰亞胺三嗪樹脂制成。

6.根據權利要求1所述的電路板，其中，所述導電連通體被形成為在所述絕緣層處的寬度與在所述基底處的寬度的比滿足1∶0.8至1∶1.2。

7.根據權利要求1所述的電路板，其中，所述內部電路圖案形成在所述基底的兩個表面上，

所述電路板還包括覆蓋所述絕緣層的外部電路圖案，并且

所述導電連通體的一端連接至形成在所述基底的一個表面上的所述內部電路圖案，并且其另一端連接至形成在覆蓋所述基底的另一個表面的所述絕緣層上的所述外部電路圖案。

8.根據權利要求1所述的電路板，其中，所述基底和所述絕緣層構成基板層疊體，

所述過孔通過在所述基板層疊體上執行激光機械加工處理而形成，并且

所述導電連通體是填充所述過孔的鍍層。

9.一種電路板的制造方法，包括：

制備具有內部電路圖案的基底；

通過形成覆蓋所述基底的絕緣層來制造基板層疊體；

在所述基板層疊體上形成暴露所述內部電路圖案的過孔；以及

在所述過孔中形成導電連通體，

其中，所述絕緣層的形成包括：在所述基底上形成由在使用堿性化學液體時與所述基底相比具有慢蝕刻速率的樹脂材料制成的聚合物樹脂層。

10.根據權利要求9所述的電路板的制造方法，其中，所述過孔的形成包括：

通過在所述基板層疊體上執行激光機械加工處理，形成寬度在所述基底處比在所述絕緣層處窄的初期過孔；以及

擴展所述初期過孔在所述基底處的寬度，使得在所述絕緣層處的寬度與在所述基底處的寬度的比滿足1∶0.8至1∶1.2。

11.根據權利要求10所述的電路板的制造方法，其中，所述初期過孔在所述基底處的寬度的擴展包括：在所述基板層疊體上執行對所述基底比對所述絕緣層具有更快蝕刻速率的去污處理。

12.根據權利要求10所述的電路板的制造方法，其中，所述初期過孔在所述基底處的寬度的擴展包括：向所述基板層疊體提供對所述基底具有蝕刻選擇性的堿性化學液體。

13.根據權利要求9所述的電路板的制造方法，其中，所述基底的制備包括：制備具有由樹脂材料制成的芯層的覆銅層疊體，并且

所述絕緣層的形成包括：在所述覆銅層疊體上形成在使用堿性化學液體時與所述芯層相比具有更慢蝕刻速率的聚合物樹脂層。

14.根據權利要求9所述的電路板的制造方法，其中，所述絕緣層的形成包括：在所述覆銅層疊體上層疊聚合物片，與所述芯層相比，所述聚合物片中填料相對于樹脂的含量較低。

15.根據權利要求14所述的電路板的制造方法，其中，所述芯層被形成為填料相對于樹脂的含量比為0.8至1.5。

16.根據權利要求13所述的電路板的制造方法，其中，所述聚合物樹脂層的形成包括：層疊與所述覆銅層疊體相比具有相對高的雙馬來酰亞胺三嗪樹脂含量的聚合物片。