[發明專利]LDMOS陣列的版圖結構有效
| 申請號： | 201110297918.3 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102412236A | 公開（公告）日： | 2012-04-11 |
| 發明（設計）人： | 仲志華 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ldmos 陣列 版圖 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種LDMOS陣列的版圖結構，其特征是，由內到外包括：
以陣列方式排列的多個并聯的LDMOS器件，所述多個LDMOS器件的所有源極相連接，所有漏極相連接，所有柵極相連接，所有襯底引出端相連接；
一圈漏極環，包圍在所述多個LDMOS器件的外圍，與所述多個LDMOS器件的漏極不連接且接不同的電位；
一圈保護環，包圍在所述漏極環的外圍，與所述多個LDMOS器件的襯底引出端相連接且接零電位。
2.根據權利要求1所述的LDMOS陣列的版圖結構，其特征是，所述漏極環接的電位，比所述多個LDMOS器件的連接在一起的漏極接的電位更高。
3.根據權利要求2所述的LDMOS陣列的版圖結構，其特征是，所述漏極環接的電位，比所述多個LDMOS器件的連接在一起的漏極接的電位高5V。
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