技術領域

本發明涉及半導體領域，更具體地，涉及一種透明襯底中的處理層。

背景技術

許多微機電系統(MEMS)需要透明的襯底，該透明襯底使光能夠穿過襯底并且穿過器件的部件。這種MEMS器件的實例包括，例如BioMEMS以及光學MEM或微光機電系統(MOEM)，該BioMEM包括處理生物材料以分析和測量其活動的器件。該MOEM器件可被用于光學開關、掃描儀、顯示器以及各種其他光學應用中。

在器件的制造工藝中，使用透明襯底(例如，晶圓)可能會出現問題。許多制造工具利用普通的檢測方法無法定位或識別透明襯底。例如，普通的工具可能使用自襯底反射的輻射來確定襯底的存在和/或校準。通過透明的襯底，輻射可能無法被充分反射。

因此，需要一種透明襯底的改進設計。

發明內容

為了解決現有技術中所存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了器件，包括：透明晶圓；設置在透明晶圓上的不透明層；以及設置在不透明層上的導電層，其中，該導電層包括非金屬層。

在該器件中，所述不透明層含有金屬；或者所述不透明層選自由鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鋁(AL)、鎢(W)、銅(Cu)、金(Au)和其組合構成的組；或者所述不透明層含有鈦。

在該器件中，所述導電層含有硅；或者所述導電層是摻雜硅層，其中，所述摻雜硅層含磷。

該器件還包括：處在透明晶圓和不透明層之間的第一層，其中，第一層包括非晶硅和多晶硅中的至少一種；或者所述透明晶圓含有石英。

根據本發明的另一方面，提供了一種器件，包括：一種器件，包括：

具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的透明襯底，其中，至少一個MEM器件形成在所述第一表面上；以及設置在所述透明襯底的第二表面上的處理層，其中，所述處理層包括：設置在所述透明襯底的第二表面上的不透明層，其中，所述不透明層含有金屬；以及設置在所述不透明層上的導電層，其中，所述導電層是非金屬層。

在該器件中，所述導電層是摻雜硅層；或者所述不透明層的金屬選自由鋁、鎢、銅、金、鈦、氮化鈦、和其組合構成的組；或者所述導電層的厚度在大約0.1μm和大約100μm之間。

在該器件中，所述處理層為入射輻射提供在大約50％和大約99％之間的反射率；或者所述導電層含有由化學汽相沉積形成的硅。

根據本發明的另一方面，提供了一種制造晶圓的方法，所述方法包括：提供透明晶圓；在所述透明晶圓上形成不透明層；并且在所述不透明層上利用化學汽相沉積沉積導電層。

在該方法中，所述沉積包括利用等離子體增強型化學汽相沉積；或者所述導電層的沉積包括形成摻雜硅層。

該方法還包括：提供輻射束，其中所述輻射束射入所述透明晶圓；利用所述不透明層和所述導電層中的至少一個反射所述輻射束；并且利用被反射的輻射束確定所述透明晶圓的存在。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以更好地理解本發明。應該強調的是，根據工業中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各種部件的數量和尺寸可以被任意增加或減少。

圖1示出晶圓檢測系統的實施例；

圖2示出晶圓制造方法的實施例；

圖3，4，5和6示出根據圖2的方法步驟的襯底的實施例的透視圖。

具體實施方式

以下公開提供了多種不同實施例或實例，用于實現本發明的不同特征。以下將描述組件和布置的特定實例以簡化本發明。當然，這些僅是實例并且不旨在限制本發明。此外，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例，也可以包括其他部件可以形成在第一部件和第二部件之間使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。為了簡化和清楚，各種部件可任意以不同的比例繪制。術語“晶圓”在此用來描述襯底，在該襯底上將通過制造工藝形成一個或多個器件。

本申請涉及的是MEMS器件環境下的透明襯底。然而，其他應用了透明襯底的公知或以后開發出的器件都得益于本發明并且在本發明的范圍內。