1.一種器件，包括：

透明晶圓；

設置在透明晶圓上的不透明層；以及

設置在不透明層上的導電層，其中，該導電層包括非金屬層。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述不透明層含有金屬；或者所述不透明層選自由鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鋁(AL)、鎢(W)、銅(Cu)、金(Au)和其組合構成的組；或者

所述不透明層含有鈦。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述導電層含有硅；或者

所述導電層是摻雜硅層7.根據權利要求6所述的器件，其中，所述摻雜硅層含磷。

4.根據權利要求1所述的器件，還包括：

處在透明晶圓和不透明層之間的第一層，其中，第一層包括非晶硅和多晶硅中的至少一種；或者

所述透明晶圓含有石英。

5.一種器件，包括：

具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的透明襯底，其中，至少一個MEM器件形成在所述第一表面上；以及

設置在所述透明襯底的第二表面上的處理層，其中，所述處理層包括：

設置在所述透明襯底的第二表面上的不透明層，其中，所述不透明層含有金屬；以及

設置在所述不透明層上的導電層，其中，所述導電層是非金屬層。

6.根據權利要求5所述的器件，其中，所述導電層是摻雜硅層；或者所述不透明層的金屬選自由鋁、鎢、銅、金、鈦、氮化鈦、和其組合構成的組；或者

所述導電層的厚度在大約0.1μm和大約100μm之間。

7.根據權利要求5所述的器件，其中，所述處理層為入射輻射提供在大約50％和大約99％之間的反射率；或者

所述導電層含有由化學汽相沉積形成的硅。

8.一種制造晶圓的方法，所述方法包括：

提供透明晶圓；

在所述透明晶圓上形成不透明層；并且

在所述不透明層上利用化學汽相沉積沉積導電層。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述沉積包括利用等離子體增強型化學汽相沉積；或者

所述導電層的沉積包括形成摻雜硅層。

10.根據權利要求8所述的方法，還包括：

提供輻射束，其中所述輻射束射入所述透明晶圓；

利用所述不透明層和所述導電層中的至少一個反射所述輻射束；并且

利用被反射的輻射束確定所述透明晶圓的存在。