1.一種定義深溝槽用的硬掩模層的圖案化方法，包括：

提供基底，該基底上已形成有隔離結(jié)構(gòu)；

于所提供的該基底上形成硬掩模層；

于該硬掩模層上形成圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層中有深溝槽開(kāi)口圖案位于該隔離結(jié)構(gòu)上方；以及

以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，使用不含氫元素的蝕刻氣體蝕刻該硬掩模層，以將該深溝槽開(kāi)口圖案轉(zhuǎn)移至該硬掩模層。

2.如權(quán)利要求1所述的定義深溝槽用的硬掩模層的圖案化方法，其中該硬掩模層的材料包括硅化合物。

3.如權(quán)利要求2所述的定義深溝槽用的硬掩模層的圖案化方法，其中該蝕刻氣體包括全氟碳化物。

4.如權(quán)利要求3所述的定義深溝槽用的硬掩模層的圖案化方法，其中該全氟碳化物選自由四氟化碳、全氟丁烯及全氟戊炔所組成的族群。

5.如權(quán)利要求3所述的定義深溝槽用的硬掩模層的圖案化方法，其中該蝕刻氣體還包括氬氣及氧氣。

6.如權(quán)利要求2所述的定義深溝槽用的硬掩模層的圖案化方法，其中該硅化合物包括氮化硅。

7.如權(quán)利要求2所述的定義深溝槽用的硬掩模層的圖案化方法，其中該硬掩模層包括第一氮化硅層、該第一氮化硅層上的氧化硅緩沖層，以及該氧化硅緩沖層上的第二氮化硅層。