技術領域

本發明涉及一種加熱塊裝置。

背景技術

加熱塊是半導體封裝鍵合工序中進行金線或銅線熱壓超聲焊接的關鍵部件之一，它通過加熱塊底座的加熱棒，將熱傳到加熱塊表面，繼而傳至需要鍵合的產品即裝有芯片的框架或基板，當溫度達到一定工藝要求，如BGA加熱塊表面溫度為160℃、QFN加熱塊表面溫度為190℃時，設備真空透過加熱塊的真空孔，將產品基板或框架緊密的吸附，防止產品在超聲焊接的過程中發生位移或震動。

然而，傳統的加熱塊裝置結構較為簡單，包含加熱塊及一個或若干個真空孔，利用真空的吸附作用使框架或基板與加熱塊之間貼合來達到鎖定框架或基板的目的。但是在實際作業過程中，框架或基板結構本身存在一定的偏差或受熱后產生一定的翹曲，不能使框架或基板與加熱塊表面緊密貼合，造成其與加熱塊間出現空隙，繼而漏真空，達不到鎖定框架或基板的目的，進而影響到產品的鍵合工藝品質。其次，BGA及QFN品種為塊狀模塊結構，一條框架或基板上分為四個模塊，除內部單元數量和大小不同外，其框架或基板的外部尺寸，每個模塊的尺寸均相同，使用傳統的加熱塊需要根據具體每個品種每個模塊結構內部的單元數和具體位置開真空孔。所以使用傳統結構的鍵合夾具在不同品種間進行切換時，需要根據每個品種每個模塊結構內部的載片臺的焊盤數量及大小更換加熱塊，更換過程需要重新設定設備參數、費時調校，嚴重影響設備運行效率。

發明內容

鑒于現有技術中存在的上述問題，本發明的主要目的在于解決現有技術的缺陷，提供了一種加熱塊裝置。

為實現上述目的，本發明提供了一種加熱塊裝置，包括：加熱塊底座、設置于加熱塊底座上的真空孔以及設置于加熱塊底座上的吸附裝置，所述加熱塊底座和吸附裝置之間設置有與真空孔相連通的真空腔體。

優選的，吸附裝置為多孔材料構成。

優選的，多孔材料為多孔金屬材料。

優選的，真空腔體包括設置于加熱塊底座上表面的多個凹槽，各凹槽相連通。

優選的，多個凹槽呈H形分布。

與現有技術相比，本發明具有以下優點和有益效果中的一項或者幾項：

1.本發明的加熱塊裝置，通過裝置中設置的多孔金屬材料，真空透過其表面上的眾多小孔，基板或框架被緊緊吸附于加熱塊表面從而達到鎖定基板或框架的目的。

2.本發明的加熱塊裝置，在鍵合過程中框架或基板準確定位，不會出現位移、松脫和翹曲等現象，另外基板或框架與加熱塊表面也不會出現空隙。

3.本發明的加熱塊裝置，該裝置充分考慮了BGA及QFN框架或基板Block等外部尺寸完全相同的特點，在不同外形之間進行切換時，無需拆卸和替換加熱塊，僅需調取相應程序或直接調校芯片識別即可，提高了設備的利用率。

附圖說明

圖1為本發明的實施例的加熱塊裝置的俯視圖。

圖2為本發明的實施例的加熱塊裝置的剖視圖。

圖3為本發明的實施例的加熱塊裝置的仰視圖。

其中附圖標記說明如下：

1-加熱塊底座????2-真空孔

3-真空腔體??????4-吸附裝置

具體實施方式

下面將參照附圖和具體實施例對本發明作進一步的說明。

本發明提供了一種加熱塊裝置。

如圖1至圖3所示：本發明的實施例的一種加熱塊裝置，主要包括：加熱塊底座1、設置于加熱塊底座1上的真空孔2以及設置于加熱塊底座1上的吸附裝置4，加熱塊底座1和吸附裝置4之間設置有與真空孔2相連通的真空腔體3。可選地，吸附裝置4為多孔材料構成。

作為本發明一種優選的實施例，多孔材料為多孔金屬材料，多孔材料表面平滑，材料內部分布有多個細微的小孔，真空可透過這些小孔，將基板或框架緊緊吸附于吸附裝置4的表面從而達到鎖定基板或框架的目的。

作為本發明一種優選的實施例，真空腔體3包括設置于加熱塊底座1的上表面的多個凹槽，各凹槽相連通且呈H形分布。在其他實施方式中，各凹槽也可以其他形狀分布。