技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)，尤其涉及一種固晶方法。

背景技術(shù)

LED燈具有壽命長、省電力的特點，越來越廣泛地應(yīng)用于照明領(lǐng)域。

現(xiàn)有技術(shù)中，LED芯片往往通過銀膠與基板連接，然后封膠；也有的通過Sn焊接，銀的用量太少，導(dǎo)熱性能不好；銀的用量太大，牢固度不好；很難兼顧導(dǎo)熱性和牢固度。

也有人采用Au/Sn共晶材料焊接芯片，如中國專利文獻(xiàn)CN101691910A于2010年4月7日公開的LED封裝模塊的制備方法，用于權(quán)利要求1或權(quán)利要求3所述的LED封裝模塊的制作，該方法包括固晶工序，其特征在于，該固晶工序包括以下步驟：（1）設(shè)置熱沉層，（2）放置LED芯片，（3）焊接，（4）冷卻，其中，第（1）步所述的設(shè)置熱沉層采用真空濺射的方式；第（2）步所述的放置LED芯片是將LED芯片置于熱沉層上；第（3）步所述的焊接，是指將第（2）步制成的半成品過焊接爐，焊接爐的溫度為250°C-300°C；第（4）步所述的冷卻是指常溫風(fēng)冷卻。前述專利文獻(xiàn)在結(jié)構(gòu)上解決了現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，但其制備過程復(fù)雜，成本高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種過程簡潔的固晶方法。

本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種固晶方法，適用于LED光源模塊封裝，其特征在于包括以下步驟：S1，提供基板、提供LED晶片；S2，提供裝載在供料帶上的片狀A(yù)uSn焊料；S3，提供送料器，并通過送料器吸起AuSn焊料；S4，將AuSn焊料放置于基板；S5，預(yù)熱，即將放置好AuSn焊料的基板加熱；S6，置晶，即在AuSn焊料上放置LED晶片；S7，焊接；S8，冷卻；其中，S5步驟所述的預(yù)熱，溫度為90℃至265℃；S7步子所述的焊接為超聲波熔接。

固晶方法，其特征在于：S1步驟所述的提供基板可以在S4步驟前的任何步驟完成，S1步驟所述的提供LED晶片可以在S6步前的任何步驟完成。

固晶方法，其特征在于：以熱風(fēng)回流焊接代替S7步驟所述的超聲波熔接，并且焊接溫度為305℃至335℃，氮氣保護(hù)。

固晶方法，其特征在于：還包括設(shè)置在S2步驟之前的裝載步驟：S1.5，裝載；即通過一吸盤將散置的片狀A(yù)uSn焊料裝載于送料帶，送料帶裝載AuSn焊料的部位具有一膠粘層。

固晶方法，其特征在于：所述吸盤包括一腔體，還包括與腔體連通的吸嘴，所述腔體還連通一真空發(fā)生裝置，該吸盤還包括一退料部件。

固晶方法，其特征在于：所述吸嘴包括一內(nèi)沈的凹坑，吸氣口位于凹坑的底面，所述退料部件是設(shè)置于凹坑的底面的環(huán)形彈性墊，所述吸氣口位于環(huán)形彈性墊的中心區(qū)域。

固晶方法，其特征在于：所述吸嘴包括一內(nèi)沈的凹坑，吸氣口位于凹坑的底面，所述退料部件是一頂針，所述吸盤處于置料狀態(tài)時，所述頂針從吸氣口伸出，所述吸盤處于吸料狀態(tài)時，所述頂針縮回。

固晶方法，其特征在于：所述頂針固定連接于一針板，通過移動針板實現(xiàn)頂針插入和縮回吸氣口。

固晶方法，其特征在于：還包括設(shè)置于S1.5步驟與S2步驟之間的S1.7檢驗步驟，即通過對所述腔體內(nèi)直空度的檢測，判斷吸嘴吸料是否正常，如正常轉(zhuǎn)S2步驟；如異常則轉(zhuǎn)S99步驟，S99，振動吸料，后轉(zhuǎn)S1.7步驟；所述振動吸料，是指吸料盤通過一振動機構(gòu)，在不斷振動的狀態(tài)下再次吸料。

固晶方法，其特征在于：焊接溫度為325℃至330℃；所述冷卻是熱風(fēng)冷卻，或熱風(fēng)冷確與接觸性傳導(dǎo)冷卻結(jié)合。

本發(fā)明的固晶方法，通過供送料器將裝載在供料帶上的片狀A(yù)uSn焊料放置于基板，與現(xiàn)有技術(shù)的熱沉工藝相比，具有簡單易行，成本低的特點。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一個實施例之流程圖。

圖2是本發(fā)明第一個實施例之吸盤工作示意圖。

圖3是圖2中A處局部放大示意圖。

圖4是圖3的替代方案示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳述。