[發明專利]半導體裝置的通孔形成的方法無效
| 申請號： | 201110204779.5 | 申請日： | 2011-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN102800624A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 林智清;陳逸男;劉獻文 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;邢雪紅 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
1.半導體裝置的通孔形成的方法，其特征在于包括下列步驟：
提供光阻層，所述光阻層具有圖案，所述圖案定義通孔的開口，所述光阻層具有一個熱交聯材料，且設置在一個結構層上；
進行第一次干蝕刻工藝，透過所述通孔的開口蝕刻所述結構層到第一深度；
熱烤所述熱交聯材料使其膨脹以限縮所述開口的大小；以及
進行第二次干蝕刻工藝，透過所述限縮后的開口蝕刻所述結構層至第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。
2.根據權利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，該方法還包括在所述結構層與所述光阻層之間形成抗反射膜的步驟。
3.根據權利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述第一次干蝕刻工藝包括蝕刻所述抗反射膜至所述結構層的第一深度。
4.根據權利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述第二次干蝕刻工藝包括在所述結構層形成溝槽，所述結構層位于所述抗反射膜下。
5.根據權利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述第二次干蝕刻工藝包括在所述結構層形成孔洞，所述結構層位于所述抗反射膜下。
6.根據權利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述結構層是金屬層、多晶硅層或絕緣層。
7.根據權利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述結構層為多晶硅層。
8.根據權利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述結構層為半導體層。
9.根據權利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述結構層為絕緣層。
10.根據權利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述通孔形成的方法還包括去除所述光阻層的步驟。
11.根據權利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述通孔形成的方法還包括去除所述光阻層和所述抗反射膜的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
