1.一種測量超級結深溝槽內外延層電阻縱向分布的方法，包括步驟：

(1)在硅襯底上生長一層N型硅外延層；

(2)在該N型硅外延層上刻蝕出溝槽；

(3)用P型硅外延填充該溝槽；

其特征在于，還包括以下步驟：

(4)將步驟(3)形成的P型硅外延層劃分為N層，測定該N層的總電阻Rs_總；

(5)逐層去除P型硅外延層和相同厚度的N型硅外延層，且每去除一層，測定一次剩余P型硅外延層的電阻Rs_總-i，直到測到第N層，其中，i為1～N的自然數；

(6)計算P型硅外延層每次去除部分的電阻Rs_i。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽的寬度為1～8微米，深度為10～50微米。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述N的值為2～90，且第N層外延層的厚度大于0.5微米。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(4)和(5)中，采用開爾文法測量電阻值。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(5)中，采用化學機械平坦化工藝或干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝，去除部分外延層。

6.如權利要求1或5所述的方法，其特征在于，步驟(5)中，每次去除的外延層的厚度為0.5～5微米。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(6)中，每次去除部分的電阻Rs_i的計算公式為：Rs_i＝(Rs_總-i+1×Rs_總-i)/(Rs_總-i-Rs_總-i+1)。