技術領域

本案是有關于一種封裝結構及其制造方法，且特別是有關于一種芯片內埋式封裝結構及其制造方法。?

背景技術

隨著科技的進步，各式電子產品不斷推陳出新。尤其是在科技技術發展的過程中，半導體封裝技術扮演著極重要的角色。?

在半導體封裝工藝中，晶圓先經過切割，而形成一顆顆的晶粒。晶粒再通過打線、覆晶等工藝將其內部走線引導至外部，并通過封膠等方式來保護晶粒。?

在產品微小化與精密化的趨勢下，半導體封裝技術不斷地在追求如何在有限空間下，提高線路的精密度及構裝密集度。此外，除了提高線路的精密度及構裝密集度外，如何在新技術下維持工藝良率、質量與成本也同樣是研究發展的一重要目標。?

發明內容

本案有關于一種封裝結構其制造方法，其利用通孔的設計與工藝，提高線路的精密度及構裝密集度，并維持工藝良率、質量與成本。?

根據本案的一方面，提出一種封裝結構的制造方法。封裝結構的制造方法包括以下步驟。提供一封膠件及一芯片。封膠件具有一第一表面及一第二表面。芯片埋入于封膠件。芯片的一主動表面暴露于第一表面。形成一第一重布線路層(Redistribution?Layer，RDL)于第一表面。蝕刻封膠件及第一重布線路層，以形成一封膠通孔及一線路通孔。于封膠通孔及線路通孔形成一導電柱。形成一第二重布線路層(Redistribution?Layer，RDL)于第二表面。導電柱電性連接第一重布線路層及第二重布線路層。?

根據本案的另一方面，提出一種封裝結構的制造方法。封裝結構的制造方法包?括以下步驟。提供一封膠件及一芯片。封膠件具有一第一表面及一第二表面。芯片埋入于封膠件。芯片的一主動表面暴露于第一表面。蝕刻封膠件，以形成一封膠通孔。于封膠通孔形成一導電柱。形成一第一重布線路層(Redistribution?Layer，RDL)于第一表面。第一重布線路層電性連接導電柱。形成一第二重布線路層(Redistribution?Layer，RDL)于第二表面，第二重布線路層電性連接導電柱。?

根據本案的再一方面，提出一種封裝結構。封裝結構包括一封膠件、一芯片、一第一重布線路層、一電鍍種子層及一導電層。封膠件具有一第一表面、一第二表面及一封膠通孔。封膠通孔從第一表面至第二表面穿透封膠件。芯片埋入于封膠件。芯片的一主動表面暴露于第一表面。第一重布線路層具有一線路通孔。第一重布線路層設置于第一表面。線路通孔連通于封膠通孔。電鍍種子層設置于封膠通孔的孔壁及線路通孔的孔壁。導電柱設置于封膠通孔及線路通孔內。?

為了對本案的上述及其它方面更了解，下文特舉實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：?

附圖說明

圖1A～1F繪示一實施例的封裝結構的制造方法。?

圖2A～2M繪示一實施例的封裝結構的制造方法。?

圖3為封膠通孔與線路通孔的連通處的SEM圖。?

主要組件符號說明：?

100：封裝結構?

110：封膠件?

110a：第一表面?

110b：第二表面?

110h：封膠通孔?

120：芯片?

120a：主動表面?

120b：非主動表面?

120c：接墊?

130：第一重布線路層?

130h：線路通孔?

131：第一介電層?

132：第一導線層?

133：第二介電層?

133a、135a、193a、195a：開口?

134：第一焊墊?

135：第一光阻層?

150：錫球?

160：保護膜?

170：導電柱?

180、182：電鍍種子層?

181：金屬材料?

190：第二重布線路層?

191：第三介電層?

192：第二導線層?

193：第四介電層?

194：第二焊墊?

195：第二光阻層?

A：中間區域?

L110：封膠件的厚度?

L130：第一重布線路層的厚度?

L170：導電柱的長度?

具體實施方式

請參照圖1A～1F，其繪示一實施例的封裝結構100的制造方法。通過圖1A～?1F的步驟，可以形成雙面具有重布線路層的晶圓級芯片內埋式封裝結構100。?