1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一封膠件及一芯片，該封膠件具有一第一表面及一第二表面，該芯片埋入于該封膠件，該芯片的一主動(dòng)表面暴露于該第一表面；

形成一第一重布線路層于該第一表面；

蝕刻該封膠件及該第一重布線路層，以形成一封膠通孔及一線路通孔；

于該封膠通孔及該線路通孔形成一導(dǎo)電柱；以及

形成一第二重布線路層于該第二表面，該導(dǎo)電柱電性連接該第一重布線路層及該第二重布線路層。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其中該封膠通孔及該線路通孔在同一工藝動(dòng)作中完成。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其中形成該封膠通孔及該線路通孔的該步驟以一激光線蝕刻出該封膠通孔及該線路通孔。

4.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該導(dǎo)電柱的該步驟之前，該封裝結(jié)構(gòu)的制造方法更包括：

貼附一保護(hù)膜于該第一表面，以覆蓋該第一重布線路層。

5.如權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該導(dǎo)電柱的該步驟包括：

形成一電鍍種子層于該封膠通孔的孔壁、該線路通孔的孔壁及該保護(hù)膜的表面；以及

電鍍該導(dǎo)電材料于該電鍍種子層上。

6.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一封膠件及一芯片，該封膠件具有一第一表面及一第二表面，該芯片埋入于該封膠件，該芯片的一主動(dòng)表面暴露于該第一表面；

蝕刻該封膠件，以形成一封膠通孔；

于該封膠通孔形成一導(dǎo)電柱；以及

形成一第一重布線路層于該第一表面，該第一重布線路層電性連接該導(dǎo)電柱；以及

形成一第二重布線路層于該第二表面，該第二重布線路層電性連接該導(dǎo)電柱。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其中形成該封膠通孔的步驟以一激光線蝕刻出該封膠通孔。

8.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：

一封膠件，具有一第一表面、一第二表面及一封膠通孔，該封膠通孔從該第一表面至該第二表面穿透該封膠件；

一芯片，該芯片埋入于該封膠件，該芯片的一主動(dòng)表面暴露于該第一表面；

一第一重布線路層，具有一線路通孔，該第一重布線路層設(shè)置于該第一表面，該線路通孔連通于該封膠通孔；

一電鍍種子層，設(shè)置于該封膠通孔的孔壁及該線路通孔的孔壁；以及

一導(dǎo)電柱，設(shè)置于該封膠通孔及該線路通孔內(nèi)。

9.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電柱凸出于該第一表面。

10.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電柱的長度大于該封膠件的厚度。

11.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電柱的長度實(shí)質(zhì)上等于該封膠件的厚度與該第一重布線路層的厚度的加總。

12.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該電鍍種子層的材質(zhì)為鈦、鋁、鎳、釩、銅、金、鎢、鉛或銀。

13.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電柱的材質(zhì)為鈦、銅、鋁、銀、金、鎳或錫。

14.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中于該線路通孔與該封膠通孔的連通處，該線路通孔的孔徑實(shí)質(zhì)上等于該封膠通孔的孔徑。