技術領域

本發明涉及電容式觸摸屏表面鍍金的技術領域，具體為一種在電容式觸摸屏上均勻化學鍍金ITO走線的方法。

背景技術

現有的電容式觸摸屏，采用化學鍍金的方法進行鍍金，其化學鍍金方法參見申請號：201010188452.9、申請日：2010.06.01、名稱：一種在電容式觸摸屏表面進行化學鍍金的方法、公開號：CN101845625A的專利申請，在實際的化學鍍金過程中，ITO玻璃上面布置有各條需要鍍金的走線，現有技術在設計走線的時候，優先考慮到避免發生短路而設計其走線，且盡可能地使得走線的總面積小，從而節約鍍金的原材料，進而節約成本。然而在實際的化學鍍金過程中，鍍金析出時間會根據各條走線的面積的不同而產生時間差，導致鍍金析出時間比較慢的部分鍍金膜的厚度就比較薄，很容易產生鍍金脫落，最壞的情況可能導致走線鍍不上金，走線的鍍金厚度不一致的問題，直接會導致觸摸屏產品的穩定性、傳輸信號的能力差。

發明內容

針對上述問題，本發明提供了一種在電容式觸摸屏上均勻化學鍍金ITO走線的方法，其使得ITO玻璃上面布置的各條需要鍍金的走線的鍍金厚度均勻，使得觸摸屏產品的穩定性、傳輸信號的能力好。

一種在電容式觸摸屏上均勻化學鍍金ITO走線的方法，其技術方案是這樣的：其包括ITO玻璃的待鍍金部分、不鍍金部分，所述待鍍金部分上蝕刻有走線，所述不鍍金部分覆蓋有鍍金保護膜，其中所述不鍍金部分內均布的X/或Y方向感應電極通過其對應的走線連接外部結構，之后通過化學鍍鎳、化學鍍金工藝對所述每塊觸控玻璃的走線進行鍍金，其特征在于：相互連接的所述待鍍金部分的走線面積與其對應的不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比大于1%。

其進一步特征在于：

擴大所述待鍍金部分的單根走線的走線面積，確保所述待鍍金部分的走線面積與其對應的不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比大于1%；

將待鍍金部分的走線與其對應的不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比不超過1%的走線與ITO玻璃上其他待鍍金區域相連，確保相互連接后所述待鍍金部分的走線總面積與其對應不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比大于1%；

其更進一步特征在于：

加粗所述待鍍金部分的單根走線，確保其每根走線的走線面積與其對應的不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比大于1%；

延長所述待鍍金部分的單根走線的走線長度，確保其每根走線的走線面積與其對應不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比大于1%；

在ITO玻璃的非觸摸屏區域蝕刻出輔助走線，使待鍍金部分的走線與其對應的不鍍金部分連接單塊X/或Y方向感應電極的面積比不超過1%的所有走線與所述輔助走線相連接，使相連接的走線和輔助走線的總面積大于其對應不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積的1%，待化學鍍鎳、化學鍍金工藝鍍金完成后，切除輔助走線區域；

電容式觸摸屏上蝕刻有環形接地走線時，待鍍金部分的走線與其對應的不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比不超過1%的所有走線均連接其相鄰的所述環形接地走線，在ITO玻璃的邊界處的非最終觸摸屏區域蝕刻出邊界輔助走線，位于ITO玻璃邊界處的電容式觸摸屏的待鍍金部分的走線與其對應的不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比不超過1%的走線連通所述的邊界輔助走線，待化學鍍鎳、化學鍍金工藝鍍金完成后，切割ITO玻璃時，切斷環形接地走線與待鍍金部分的走線的連接，切除邊界輔助走線區域；

其再進一步特征在于：延長所述待鍍金部分的單根走線的倒角過渡區的長度。

采用本發明的方法后，其不滿足原有設計方法中盡可能地使得走線的總面積小的設計原則，是一種新的設計方法，由于相互連接的待鍍金部分的走線面積與其對應的不鍍金部分連接的單塊X/或Y方向感應電極的面積比大于1%，其使得鍍金析出時間基本一致，從而ITO玻璃上面布置的各條需要鍍金的走線的鍍金厚度均勻，使得觸摸屏產品的穩定性、傳輸信號的能力好。

附圖說明

圖1為原有的電容式觸摸屏化學鍍金的細走線結構示意圖；

圖2為本發明具體實施例一的結構示意圖；

圖3為原有電容式觸摸屏化學鍍金的走線圓角過渡的結構示意圖；

圖4為圖3的A處結構示意放大圖；

圖5為本發明具體實施例二的結構示意圖；

圖6為圖5的B處結構示意放大圖；

圖7為本發明具體實施例三的結構示意圖；

圖8為圖7的C處結構示意放大圖；

圖9為本發明具體實施例四的結構示意圖；