1.晶閘管及一個(gè)半導(dǎo)體(1)，其中縱向(v)從背面(14)到與其(14)相對(duì)的正面(13)，按序疊放一個(gè)p型雜質(zhì)射極(8)，一個(gè)n型雜質(zhì)(7)，一個(gè)p型雜質(zhì)基極(6)和一個(gè)n型雜質(zhì)射極(5)，并表現(xiàn)出以下特征：

點(diǎn)火結(jié)構(gòu)(AG)至少含有一個(gè)點(diǎn)火階段(AG1，AG2，AG3，AG4)，其各被一個(gè)n型雜質(zhì)射極(5)隔開(kāi)，被一個(gè)n型點(diǎn)火階段射極(51，52，53，54)包裹，而其被置于一個(gè)p型雜質(zhì)基極(6)內(nèi)；

一個(gè)電極(42)與正面(13)的點(diǎn)火階段射極(52，53，54)中的(52)相接，且此連接為第一個(gè)接觸面(421)，該電極使在轉(zhuǎn)向n型雜質(zhì)射極(5)面上的p型雜質(zhì)基極(6)和在正面(13)的點(diǎn)火階段射極中的射極(52)在第二接觸面(422)相接，第二個(gè)接觸面(422)既與第一接觸面(421)又與點(diǎn)火階段射極中的射極(52)相隔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶閘管，其特征在于，在第一接觸面(421)和在正面(13)的第二接觸面(422)之間加上絕緣體(18)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶閘管，其特征在于，在電極(42)和正面(13)之間，至少是逐步安置絕緣體(18)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的晶閘管，其特征在于，p型雜質(zhì)基極(6)通過(guò)本地最大值指明層電阻(RS)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶閘管，其特征在于，本地最大值處于第一接觸面(421)和n型雜質(zhì)基極(7)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶閘管，其特征在于，本地最大值處絕緣體(18)和n型雜質(zhì)基極(7)之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的晶閘管，其特征在于，p型雜質(zhì)基極(6)通過(guò)第一分段(61)，第二分段(62)和第三分段(63)指明整個(gè)段(60)，同時(shí)

第一分段(61)和第三分段(63)的凈摻雜物濃度(p+)高于第二分段(62)；

第二分段(62)與第一分段(61)和第三分段(63)相連；

點(diǎn)火階段射極(51，52，53，54)中的(52)和第一分段(61)建立起一個(gè)pn-過(guò)渡區(qū)(521)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶閘管，其特征在于，點(diǎn)火階段射極(51，52，53，54)中的射極(52)應(yīng)置于第一分段(61)之中。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的晶閘管，其特征在于，第二接觸面(422)與第三分段(63)相接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶閘管，其特征在于，凈摻雜物濃度順著縱向(v)至少兩輛相隔的垂直軸(al，a2，a3，a4)給出幾個(gè)本地最大值(E1，E2，E21)，其上導(dǎo)線類型為“p”。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶閘管，其特征在于，幾個(gè)本地最大值(EL)中的一個(gè)處于第二接觸面(422)和n型雜質(zhì)基極(7)之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的晶閘管，其特征在于，沿在垂直方向(v)垂直軸(a3，a4)在n型雜質(zhì)基底(7)的至少2個(gè)(E1，E2)的距離(71)之間所進(jìn)行了安排。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的晶閘管，其特征在于，從p型雜質(zhì)基底(6)間隔的第一次接觸面(421)被間隔。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的晶閘管，其特征在于，第一次接觸面(421)和第二次接觸面(422)之間應(yīng)該有能夠過(guò)之前的第13頁(yè)所提到的相對(duì)距離，讓它們形成一個(gè)封閉的環(huán)，并讓電極(42)與任何地方都不要有接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的晶閘管，其特征在于，在點(diǎn)火觸發(fā)范圍(ZAB)有提示，點(diǎn)火等級(jí)結(jié)構(gòu)(AG)在點(diǎn)火觸發(fā)范圍(ZAB)和n型雜質(zhì)發(fā)射極(5)之間作了安排。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶閘管，其特征在于，其中一個(gè)點(diǎn)火階段(AG1)，在當(dāng)中的一個(gè)一個(gè)點(diǎn)火階段(AG1)，它是點(diǎn)火觸發(fā)范圍(ZAB)的下一個(gè)點(diǎn)火階段。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶閘管，其特征在于，其中所說(shuō)的點(diǎn)火階段(AG2)是一個(gè)點(diǎn)火階段，它是在最近的點(diǎn)火接觸范圍(ZAB)的下一個(gè)點(diǎn)火階段(AG1)。