技術領域

示例實施方式涉及圖像傳感器、其制造方法以及包括圖像傳感器的裝置。

背景技術

圖像傳感器將光子圖像轉換成電信號。在計算機與通信產業方面的新發展已經導致對于在各種消費電子設備中的高性能圖像傳感器的強烈需要，各種消費電子設備包括數碼相機、可攜式攝像機、PCS(個人通信系統)、游戲機、保安攝影機和醫用微型照相機。

特別地，MOS圖像傳感器能被容易地驅動并能利用各種掃描方法來實現。此外，由于數字信號處理電路能被集成到單個芯片中所以能最小化產品的尺寸，生產成本能降低，并能重復使用MOS工藝技術。此外，小功耗使得MOS圖像傳感器易于應用到電池供電的產品。因此，隨著在實現高分辨率MOS圖像傳感器方面的進展，已經迅速地增大了MOS圖像傳感器的使用。

發明內容

示例實施方式提供了具有改進的光子特性的圖像傳感器。

示例實施方式還提供了制造具有改進的光子特性的圖像傳感器的方法。

然而，示例實施方式的方面、特征和優點不限于這里的闡述。通過參考下面給出的示例實施方式的詳細描述，對于示例實施方式所屬技術領域的一般技術人員而言，示例實施方式的上述和其他方面、特征和優點將變得更加明顯。

根據示例實施方式的方面，提供了一種圖像傳感器。圖像傳感器包括：基板，光電轉換器件形成在其中；互連結構，形成在基板上并包括多個金屬間電介質層和在多個金屬間電介質層中的多個金屬互連，互連結構限定相應于光電轉換器件對準的槽的至少一部分；吸濕阻擋層，共形地形成在互連結構的頂部上以及在槽中；和光導單元，形成在吸濕阻擋層上并包括填充槽的透光材料，其中吸濕阻擋層在槽的底部和兩個側部上以及在多個金屬間電介質層的頂表面上以均勻厚度形成。

根據示例實施方式的另一方面，提供了一種圖像傳感器。圖像傳感器包括：基板，光電轉換器件形成在其中；互連結構，形成在基板上并包括多個金屬間電介質層和在多個金屬間電介質層中的多個金屬互連；層間電介質層，在互連結構與基板之間并包括電連接到內側的多個互連的柵結構；吸濕阻擋層，形成在包括互連結構的基板的整個表面上；和濾色器，形成在吸濕阻擋層上。

根據示例實施方式的另一方面，提供了一種圖像傳感器。該圖像傳感器包括：基板，在其中光電轉換器件與基板的第一表面相鄰地形成；互連結構，形成在第一表面上并包括多個金屬間電介質層和在多個金屬間電介質層中的多個金屬互連；背側層間電介質層，形成在基板的第二表面上，基板的第二表面在基板關于第一表面的相反側上；吸濕阻擋層，形成在背側層間電介質層的整個表面上；和濾色器，沿著光電轉換器件對準并且形成在吸濕阻擋層上。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例實施方式，示例實施方式的上述和其他特征和優點將變得更加明顯。附圖旨在描繪示例實施方式而不應解釋為限制權利要求的范圍。除非明確地表示，附圖不應被理解為按比例繪畫。

圖1為示出根據示例實施方式的圖像傳感器的方框圖；

圖2為與圖1中的有源像素傳感器(APS)陣列相應的等效電路圖；

圖3為示出根據示例實施方式的圖像傳感器的概念視圖；

圖4A至圖4C為示出根據示例實施方式的圖像傳感器的截面圖；

圖5A和圖5B為示出根據另一示例實施方式的圖像傳感器的截面圖；

圖6A和圖6B為示出根據另一示例實施方式的圖像傳感器的截面圖；

圖7A和7B為示出根據另一示例實施方式的圖像傳感器的截面圖；

圖8至圖11為中間步驟的結構的截面圖，示出根據示例實施方式的圖像傳感器的制造方法；

圖12和圖13為中間步驟的結構的截面圖，示出根據另一示例實施方式的圖像傳感器的制造方法；

圖14至圖17為中間步驟的結構的截面圖，示出根據另一示例實施方式的圖像傳感器的制造方法；

圖18至圖20為包括根據示例實施方式的圖像傳感器的基于處理器的裝置。

圖21A至圖22為示出實驗示例的結果的圖形。

具體實施方式

在此公開詳細的示例實施方式。然而，這里公開的特定結構和功能細節僅是代表性的，用于描述示例實施方式。示例實施方式可以以許多替換的形式實現且不應解釋為僅限于這里闡述的實施方式。

因此，示例實施方式能有各種變形和替換形式，其實施方式以舉例的方式顯示在附圖中并且將在此詳細描述。然而，應當理解，不意圖將示例實施方式限制為所公開的具體形式，相反，示例實施方式覆蓋落入示例實施方式的范圍內的所有變形、等價物和替換。整個附圖的描述中，相似的附圖標記指示相似的元件。