[發明專利]圖像傳感器有效
| 申請號: | 201010614957.7 | 申請日: | 2010-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102142448A | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發明(設計)人: | 金弘基;姜虎圭;李準澤;崔在希 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
基板,包括光電轉換器件;
在所述基板上的互連結構,所述互連結構包括一個或多個金屬間電介質層和在所述一個或多個金屬間電介質層中的一個或多個金屬互連,所述互連結構限定槽,使得所述槽相應于所述光電轉換器件對準并且具有底部和至少兩個側部;
吸濕阻擋層,在所述互連結構的頂表面上以及在所述槽的內側;和
在所述吸濕阻擋層上的光導單元,所述光導單元包括填充所述槽的透光材料,其中所述吸濕阻擋層沿著所述槽的所述底部和所述兩個側部以及在所述多個金屬間電介質層的頂表面上具有均勻厚度。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述吸濕阻擋層包括鋁氧化物層或鈦氧化物層。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述吸濕阻擋層的厚度為至
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述吸濕阻擋層通過原子層沉積工藝形成。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述透光材料沿著作為所述互連結構的頂層的所述金屬間電介質層的上側延伸。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括:
在所述互連結構與所述基板之間的層間電介質層;
在所述層間電介質層中并電連接到所述多個金屬互連的柵結構;和
在所述互連結構上的蝕刻停止層,其中所述蝕刻停止層、所述層間電介質層的一部分和所述互連結構限定所述槽。
7.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述多個金屬互連是多個銅互連,所述互連結構包括在所述多個金屬間電介質層的每個之間的擴散阻擋層,所述槽由所述互連結構和所述擴散阻擋層限定。
8.一種圖像傳感器,包括:
基板,包括光電轉換器件;
在所述基板上的互連結構,所述互連結構包括一個或多個金屬間電介質層和在所述一個或多個金屬間電介質層中的一個或多個金屬互連;
在所述互連結構與所述基板之間的層間電介質層,所述層間電介質層包括電連接到所述一個或多個金屬互連的柵結構;
吸濕阻擋層,在所述基板和所述互連結構上方;和
濾色器,在所述吸濕阻擋層上方。
9.如權利要求8所述的圖像傳感器,還包括:
光導單元,包括透光材料,
其中所述互連結構限定相應于所述光導轉換器件對準的槽的至少一部分,
所述光導單元包括填充所述槽并沿著所述互連結構與所述吸濕阻擋層之間的間隔延伸的透光材料,和
所述透光材料的折射率高于所述多個金屬間電介質層的折射率。
10.如權利要求9所述的圖像傳感器,還包括在所述互連結構與所述層間電介質層之間的蝕刻停止層,其中所述蝕刻停止層、所述層間電介質層的一部分以及所述互連結構限定所述槽。
11.如權利要求8所述的圖像傳感器,其中所述吸濕阻擋層通過原子層沉積工藝形成。
12.如權利要求8所述的圖像傳感器,其中所述吸濕阻擋層由鋁氧化物層或鈦氧化物層形成。
13.如權利要求8所述的圖像傳感器,其中所述吸濕阻擋層的厚度在至范圍內。
14.一種圖像傳感器,包括:
基板,包括與所述基板的第一表面相鄰的光電轉換器件;
在所述第一表面上的互連結構,所述互連結構包括一個或多個金屬間電介質層和在所述一個或多個金屬間電介質層中的一個或多個金屬互連;
在所述基板的第二表面上的背側層間電介質層,所述基板的第二表面在所述基板關于所述第一表面的相反側上;
吸濕阻擋層,在所述背側層間電介質層上;和
在所述吸濕阻擋層上的濾色器,所述濾色器相應于所述光電轉換器件對準。
15.如權利要求14所述的圖像傳感器,其中所述吸濕阻擋層包括鋁氧化物層或鈦氧化物層。
16.如權利要求14所述的圖像傳感器,其中所述吸濕阻擋層的厚度在至的范圍內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電子株式會社,未經三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201010614957.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:助消化復合物及其制法和在飼料添加劑中的應用
- 下一篇:接觸開關
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





