[發(fā)明專利]導氣管裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010188998.4 | 申請日: | 2010-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN102254841A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉志益 | 申請(專利權(quán))人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣管 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種導氣管裝置,特別是有關(guān)一種應(yīng)用于半導體的打線接合(Wirebonder)機臺上以供保護氣體流通的導氣管裝置。
背景技術(shù)
在半導體封裝過程中,芯片上信號的傳導可通過打線(wire?bond)工序,將芯片上的信號利用焊線傳導至載體(例如:導線架(leadframe)、基板(substrate)...等)上,再通過外部端子(例如:钖球或?qū)Ь€架的引腳...等)連接至印刷電路板(PCB)上。而焊線的形成主要是利用一焊針內(nèi)傳輸金屬線,例如:銅線、銀線或金線...等,將其端部熔融形成一焊球(FAB/Free?Air?Ball),于此同時,利用一輸氣裝置持續(xù)的供應(yīng)保護氣體,以保護焊球成形,前述的保護氣體較佳的可為氮、氬或氮氫混合氣,其中的氮、氬氣可包覆保護焊球避免氧化,而氮氫混合氣中的氫氣更可還原焊球上已氧化的部份,有助于保護焊球的成型,最后,再將連接有焊線的焊球接合于芯片或載體的焊墊上。因此可以有效地控制打線工序,以確保半導體封裝高產(chǎn)量。在打線工序中,現(xiàn)有技術(shù)中US6234376與US4575602提出以導氣管裝置將保護氣體吹向熔融中的銅線或金線以促進球狀燒結(jié),然而,上述前案皆會因保護氣體均由單一方向供應(yīng)流動,使得導氣管裝置內(nèi)的保護氣體流量不穩(wěn)或產(chǎn)生紊流,因而造成焊球燒球異常,焊球燒球的異常狀況包括焊球破裂、偏心、壓傷、缺角、結(jié)晶異常...等,皆會造成進行打線工序后的品質(zhì)異常,使芯片無法使用。
此外,另有現(xiàn)有技術(shù)為了讓焊球制作成型之后、打線之前,不會因離開保護氣體而使得焊球氧化,進而使焊球產(chǎn)生異常,因此,會另以一支通有氮氣或氬氣或氮氫混合氣等保護氣體的輸氣管吹向已經(jīng)成型的焊球,然而,通氣管的設(shè)置因需要另外以機器控制,造成成本上的增加與操作上較不便利。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述先前技術(shù)不盡理想之處,本發(fā)明的目的是提供一種導氣管裝置,可避免焊球產(chǎn)生異常而確保芯片質(zhì)量,同時可降低成本提升操作便利性。
本發(fā)明提供一種導氣管裝置,具有沿第一軸向、第二軸向與第三軸向的構(gòu)形,其中,第一軸向、第二軸向與第三軸向彼此為正交。導氣管裝置包含有本體與尾管。本體沿第二軸向的兩端為頭端與尾端、沿第三軸向的兩端為兩側(cè)壁。本體的頭端附近沿第一軸向形成有貫穿的第一通孔。本體進一步包含有第一氣孔與旁路氣孔,第一氣孔是沿第二軸向配置,且貫通本體的尾端與第一通孔,旁路氣孔一端連通至第一氣孔,另一端連通至第一通孔。尾管接合至該本體的尾端,沿第二軸向形成有貫穿的第二通孔,第二通孔連通至第一氣孔。
因此,本發(fā)明的上述導氣管裝置,通過第一氣孔與旁路氣孔(第二氣孔、第三氣孔以及第四氣孔)的保護氣體導引,可以破壞導氣管裝置中第一通孔內(nèi)保護氣體的紊亂氣流,進而使得焊球熔融燒結(jié)時在焊球外部形成一層較為穩(wěn)定的保護氣體包覆,而使的焊球熔融燒結(jié)成型的球體均勻度更佳。
本發(fā)明進一步提供另一種導氣管裝置,具有沿第一軸向、第二軸向與第三軸向的構(gòu)形,第一軸向、第二軸向與第三軸向彼此為正交。導氣管裝置包括本體、尾管及氣密包覆件。本體以多孔性陶瓷制作而成,具有外表面,沿第二軸向的兩端為頭端與尾端。本體的頭端附近沿第一軸向形成貫穿的第一通孔,沿第二軸向形成有第一氣孔,第一氣孔貫通本體的尾端與第一通孔。尾管接合至本體的尾端且沿第二軸向形成貫穿的第二通孔,第二通孔連通至第一氣孔。氣密包覆件包覆于本體上第一通孔以外的外表面。
因此,本發(fā)明的上述另一種導氣管裝置,通過本體變更材料結(jié)構(gòu)為多孔性陶瓷制作而成,再通過本體內(nèi)均勻保護氣體的導引,可以破壞導氣管裝置中第一通孔內(nèi)的紊亂氣流,進而使得焊球熔融燒結(jié)時在焊球外部形成一層較為穩(wěn)定的保護氣體包覆,而使的焊球熔融燒結(jié)成型的球體均勻度更佳。
本發(fā)明進一步提供又一種導氣管裝置,具有沿第一軸向、第二軸向與第三軸向的構(gòu)形,第一軸向、第二軸向與第三軸向三者彼此為正交。導氣管裝置包括本體、尾管及外管。本體中沿第二軸向的兩端為頭端與尾端,沿第三軸向的兩端為兩側(cè)壁。本體的頭端附近沿第一軸向形成貫穿的第一通孔。本體進一步包含第一氣孔與旁路氣孔,第一氣孔沿第二軸向配置且貫通本體的尾端與第一通孔,旁路氣孔一端連通至該第一氣孔,另一端連通第一通孔。尾管接合至本體的尾端,且沿第二軸向形成貫穿的第二通孔,第二通孔連通至第一氣孔。外管具有底管與連接底管兩端的兩個側(cè)管,藉此成為一個U形管,使本體洽容置于U形管所形成的區(qū)域內(nèi)。本體的頭端靠近底管。外管進一步包含旁路流道與多個排氣孔,旁路流道配置于底管與兩個側(cè)管的內(nèi)部,多個排氣孔一端流通至旁路流道,另一端連通至外管的外部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





