[發明專利]層壓體的形成方法有效
| 申請號: | 201010139007.3 | 申請日: | 2010-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN101841980A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 河口睦行;天谷剛 | 申請(專利權)人: | MEC股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/38 | 分類號: | H05K3/38;B32B37/00 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 王月玲;武玉琴 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層壓 形成 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種層壓體的形成方法,其連續進行如下工序:硅烷偶聯劑處理工序,在金屬層表面涂布硅烷偶聯劑水溶液,使所得的涂層膜干燥而形成硅烷偶聯劑皮膜;層壓工序,在所述硅烷偶聯劑皮膜上層壓樹脂層。
背景技術
自先前以來,在印刷電路板的制造中,為了提高由銅或銅合金等金屬所形成的導體表面(金屬表面)與阻焊劑(solder?resist)或預浸料(prepreg)等絕緣樹脂的粘著性,一般進行如下工序:在金屬表面涂布硅烷偶聯劑水溶液等,然后使所得的涂層膜干燥(例如日本專利特開平5-304361號公報、日本專利特開平6-37452號公報、日本專利特開平7-115275號公報、日本專利特開平7-212039號公報、日本專利特開2007-35995號公報等)。
所述硅烷偶聯劑水溶液必須首先將硅烷偶聯劑溶解于水中,使其水解而生成硅醇基(Si-OH)。該硅醇基和存在于金屬表面的羥基反應、結合,由此在金屬表面上形成具有與絕緣樹脂的粘著性能的硅烷偶聯劑皮膜。
在先前的硅烷偶聯劑處理工序中,通過每對硅烷偶聯劑水溶液處理一定時間(或者一定量)后進行液體交換來防止粘著性能降低。然而,在先前,液體交換的時期由經驗法則決定,因此存在盡管能夠確保粘著性能也進行液體交換的可能性。因此,無論是經濟性方面還是作業效率方面的浪費較大,難以降低制造成本。
另一方面,已知可以根據X射線光電子能譜(X-ray?photoelectronspectroscopy,XPS)的表面組成詳細分析,測定存在于皮膜表面的Si量,由此來確認是否是所述硅烷偶聯劑皮膜可維持粘著性的狀態。
然而,在所述XPS測定中,存在如下的問題點:(1)必須在真空條件下進行測定因此需花費時間、(2)裝置昂貴、(3)裝置的使用者需要進行訓練等,特別是基板量產時的硅烷偶聯劑皮膜的管理方法難以實施。
發明內容
本發明是鑒于上述事實而成的,提供一種即使連續進行硅烷偶聯劑處理工序,也能夠容易地維持與由絕緣樹脂等所形成的樹脂層的粘著性,并且可降低制造成本的層壓體的形成方法。
本發明的第1層壓體的形成方法是一種連續進行如下工序的層壓體的形成方法:硅烷偶聯劑處理工序,在金屬層表面涂布硅烷偶聯劑水溶液,使所得的涂層膜干燥而形成硅烷偶聯劑皮膜;層壓工序,在所述硅烷偶聯劑皮膜上層壓樹脂層,其特征在于,
在進行所述硅烷偶聯劑處理工序時,利用反射吸收光譜法的FT-IR光譜對所形成的硅烷偶聯劑皮膜進行分析,當Si-O的峰面積變得小于規定閾值時,一面更新所述硅烷偶聯劑水溶液的至少一部分,而將所述峰面積管理在規定范圍內,一面進行硅烷偶聯劑處理。
本發明的第2層壓體的形成方法是一種連續進行如下工序的層壓體的形成方法:硅烷偶聯劑處理工序,在金屬層表面涂布硅烷偶聯劑水溶液,使所得的涂層膜干燥而形成硅烷偶聯劑皮膜;層壓工序,在所述硅烷偶聯劑皮膜上層壓樹脂層,其特征在于,
在進行所述硅烷偶聯劑處理工序時,利用反射吸收光譜法的FT-IR光譜對所形成的硅烷偶聯劑皮膜進行分析,當Si-O的峰面積變得小于規定閾值時,變更硅烷偶聯劑處理的條件,使所形成的硅烷偶聯劑皮膜表面的Si量增加,由此而一面將所述峰面積管理在規定范圍內一面進行硅烷偶聯劑處理。
本發明的有益效果在于:在本發明中,通過使用反射吸收光譜法(RAS法)的FT-IR(傅立葉轉換紅外線光譜)作為分析手段,可以在短時間內直接測定存在于硅烷偶聯劑皮膜表面的Si量,因此可以在樹脂層與金屬層的粘著性降低之前,更新硅烷偶聯劑水溶液的至少一部分(第1形成方法)、或者使硅烷偶聯劑皮膜表面的Si量增加(第2形成方法)。由此即使連續地進行硅烷偶聯劑處理工序,也能夠容易地維持與樹脂層的粘著性。而且,可以及時地掌握硅烷偶聯劑皮膜的狀態,因此可以防止浪費的液體交換。由此可降低制造成本。
附圖說明
圖1是用以說明Si-O的峰面積的測定方法的圖。
具體實施方式
本發明涉及一種層壓體的形成方法,其連續進行如下工序:硅烷偶聯劑處理工序,在金屬層表面涂布硅烷偶聯劑水溶液,使所得的涂層膜干燥而形成硅烷偶聯劑皮膜;層壓工序,在所述硅烷偶聯劑皮膜上層壓樹脂層。即,以反復進行所述硅烷偶聯劑處理工序和所述層壓工序的層壓體的形成方法為對象。
本發明中所使用的硅烷偶聯劑如果是顯示出偶聯效果的硅烷偶聯劑,則可以是任意種硅烷偶聯劑。作為特別適于本發明的方法的硅烷偶聯劑,自粘著性的觀點而言,具有選自環氧基、氨基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基以及乙烯基的至少一個官能基的硅烷偶聯劑較為合適。
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