1.一種層壓體的形成方法，其連續進行如下工序：硅烷偶聯劑處理工序，在金屬層表面涂布硅烷偶聯劑水溶液，使所得的涂層膜干燥而形成硅烷偶聯劑皮膜；層壓工序，在所述硅烷偶聯劑皮膜上層壓樹脂層，其特征在于，

在進行所述硅烷偶聯劑處理工序時，利用反射吸收光譜法的傅立葉轉換紅外線光譜對所形成的硅烷偶聯劑皮膜進行分析，當Si-O的峰面積變得小于規定閾值時，一面更新所述硅烷偶聯劑水溶液的至少一部分，而將所述峰面積管理在規定范圍內，一面進行硅烷偶聯劑處理。

2.一種層壓體的形成方法，其連續進行如下工序：硅烷偶聯劑處理工序，在金屬層表面涂布硅烷偶聯劑水溶液，使所得的涂層膜干燥而形成硅烷偶聯劑皮膜；層壓工序，在所述硅烷偶聯劑皮膜上層壓樹脂層，其特征在于，

在進行所述硅烷偶聯劑處理工序時，利用反射吸收光譜法的FT-IR光譜對所形成的硅烷偶聯劑皮膜進行分析，當Si-O的峰面積變得小于規定閾值時，變更硅烷偶聯劑處理的條件，使所形成的硅烷偶聯劑皮膜表面的Si量增加，由此而一面將所述峰面積管理在規定范圍內一面進行硅烷偶聯劑處理。

3.如權利要求2所述的層壓體的形成方法，其特征在于，通過提高所述涂層膜的干燥溫度來使硅烷偶聯劑皮膜表面的Si量增加。

4.如權利要求2或3所述的層壓體的形成方法，其特征在于，通過延長所述涂層膜的干燥時間來使硅烷偶聯劑皮膜表面的Si量增加。