[發(fā)明專利]源氣體供給裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980138274.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102165560A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李炳一;張錫弼;樸暻完;宋鐘鎬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泰拉半導(dǎo)體株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/205 | 分類號(hào): | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 供給 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種采用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行薄膜蒸鍍時(shí)能夠控制蒸鍍室內(nèi)的源氣體壓力的源氣體供給裝置。更具體地說,涉及一種使特定量的源氣體流入蒸鍍室內(nèi),從而能夠準(zhǔn)確地控制蒸鍍室內(nèi)的源氣體的壓力或者流量的源氣體供給裝置。
背景技術(shù)
采用化學(xué)氣相沉積法(Chemical?Vapor?Deposition:CVD)的薄膜蒸鍍?cè)诎雽?dǎo)體元件的絕緣層和有源層、液晶顯示元件的透明電極、電致發(fā)光顯示元件的發(fā)光層、保護(hù)層等的各種領(lǐng)域的應(yīng)用中,在技術(shù)上非常重要。
一般地,采用CVD蒸鍍的薄膜的物性很受蒸鍍壓力、蒸鍍溫度、蒸鍍時(shí)間等CVD工藝條件的影響。例如,隨著蒸鍍壓力的變化,蒸鍍薄膜的結(jié)構(gòu)、密度、粘合力、蒸鍍速度等會(huì)發(fā)生變化。
采用CVD的情況,蒸鍍壓力直接受到源氣體供給裝置所提供的源氣體流量(即,源氣體的壓力)的影響,該源氣體供給裝置用于供給所要蒸鍍的薄膜物質(zhì)原料。即,為在CVD中適當(dāng)?shù)乜刂普翦儔毫?,最好必須?zhǔn)確地控制源氣體供給裝置中的源氣體流量。特別是,需要精密而一定地調(diào)節(jié)蒸鍍速度時(shí),源氣體流量調(diào)節(jié)的重要性更明顯。
圖1是表示現(xiàn)有源氣體供給裝置100的構(gòu)成的示意圖?,F(xiàn)有源氣體供給裝置100由加熱源物質(zhì)120而生成源氣體的源氣體生成部110、加熱器130、載氣供給部140、蒸鍍室150以及多個(gè)閥161~164構(gòu)成。一般地,源物質(zhì)120在常溫下以固體或者液體狀態(tài)存在,因此,為了使源物質(zhì)120氣化,需要將源物質(zhì)120加熱至常溫以上。此時(shí),加熱器130作為加熱源物質(zhì)120的裝置而使用。
通常,源氣體由于比重大,因此其移動(dòng)性較差。為了使源氣體順利地向蒸鍍室150內(nèi)移動(dòng),需要利用載氣。根據(jù)情況,通過開閉多個(gè)閥161~164來調(diào)節(jié)源氣體及載氣的流量或者壓力。例如,在不使用載氣的情況下,關(guān)閉閥161、163。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
但是,這種現(xiàn)有源氣體供給裝置100存在如下問題。首先,隨著源氣體生成部110內(nèi)所殘留的源物質(zhì)120的量的不同,源物質(zhì)120的蒸發(fā)性發(fā)生變化。所以單憑閥162的開閉,難以準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)源氣體的壓力。而且,隨著通過加熱源物質(zhì)120使源物質(zhì)120的蒸發(fā)以及凝結(jié)過程的反復(fù)進(jìn)行,源物質(zhì)120的蒸發(fā)表面積發(fā)生變化,源物質(zhì)120的蒸發(fā)性也發(fā)生變化,所以不能準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)源氣體的壓力。特別是,源物質(zhì)120呈粉末狀的情況下,源物質(zhì)120的表面條件的變化更大,上述問題點(diǎn)變得更嚴(yán)重。
技術(shù)解決方案
本發(fā)明是為了解決如上所述的以往技術(shù)問題而提出的,目的在于,提供一種源氣體供給裝置,其在采用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行薄膜蒸鍍時(shí),能夠準(zhǔn)確地控制蒸鍍室內(nèi)的源氣體的壓力或者流量。
有益效果
本發(fā)明涉及的源氣體供給裝置在采用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行薄膜蒸鍍時(shí),與源氣體生成部?jī)?nèi)的源物質(zhì)的狀態(tài)無關(guān),能夠準(zhǔn)確地控制流入蒸鍍室內(nèi)的源氣體的量,從而具有在蒸鍍室內(nèi)進(jìn)行的蒸鍍工藝中能夠準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)蒸鍍壓力的效果。
附圖說明
圖1是表示現(xiàn)有源氣體供給裝置100的構(gòu)成的示意圖。
圖2是表示本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的源氣體供給裝置200的構(gòu)成的示意圖。
圖3至圖6是表示源氣體供給裝置200的源氣體凝結(jié)部240的內(nèi)部構(gòu)成以及動(dòng)作步驟的一實(shí)施例的示意圖。
圖7至圖10是表示源氣體供給裝置200的源氣體凝結(jié)部240的內(nèi)部構(gòu)成以及動(dòng)作步驟的另一實(shí)施例的示意圖。
圖11是表示本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的源氣體供給裝置300的構(gòu)成的示意圖。
圖12至圖14是表示源氣體供給裝置300的源氣體凝結(jié)部340的動(dòng)作步驟的一實(shí)施例的示意圖。
圖15是表示源氣體供給裝置300的源氣體凝結(jié)部340的動(dòng)作步驟的另一實(shí)施例的示意圖。
附圖標(biāo)記
200:源氣體供給裝置
210:源氣體生成部
212:源物質(zhì)
214:加熱器
220:載氣供給部
230:流量控制部
240:源氣體凝結(jié)部
241:第一主體部
242:第一溫度調(diào)節(jié)部
243:第二主體部
244:第二溫度調(diào)節(jié)部
245:源氣體凝結(jié)層
250:蒸鍍室
260:旁路部
271:第一閥
272:第二閥
273:第三閥
274:第四閥
275:第五閥
276:第六閥
300:源氣體供給裝置
310:源氣體生成部
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





