[發明專利]源氣體供給裝置無效
| 申請號: | 200980138274.4 | 申請日: | 2009-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102165560A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發明(設計)人: | 李炳一;張錫弼;樸暻完;宋鐘鎬 | 申請(專利權)人: | 泰拉半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 供給 裝置 | ||
1.一種源氣體供給裝置,在采用化學氣相沉積法進行薄膜蒸鍍時,向蒸鍍室供給源氣體,其特征在于,包括:
源氣體生成部,加熱源物質而生成源氣體;以及
源氣體凝結部,在上述源氣體生成部生成的源氣體流入上述源氣體凝結部并被凝結;
其中,使源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結部,并使源氣體在上述源氣體凝結部被凝結,直至在上述源氣體凝結部凝結的源氣體的凝結量達到飽和凝結量為止;當在上述源氣體凝結部凝結的源氣體的凝結量達到飽和凝結量之后,阻斷源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結部,并使凝結在上述源氣體凝結部的源氣體流入上述蒸鍍室。
2.根據權利要求1所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體凝結部包括隔開規定間距對置配置的第一主體部及第二主體部。
3.根據權利要求2所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
將上述第一主體部的溫度調節到低于上述源氣體的凝結溫度,而將上述第二主體部的溫度調節到高于上述源氣體的凝結溫度,直至在上述源氣體凝結部凝結的源氣體的凝結量達到飽和凝結量為止;
當在上述源氣體凝結部凝結的源氣體的凝結量達到飽和凝結量之后,將上述第一主體部及上述第二主體部的溫度調節到高于上述源氣體的凝結溫度。
4.根據權利要求3所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體的飽和凝結量由上述第一主體部與上述第二主體部之間的溫度差以及上述第一主體部與上述第二主體部之間的距離中的至少一個來確定。
5.根據權利要求2所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
在上述第一主體部上連接有第一溫度調節部,在上述第二主體部上連接有第二溫度調節部。
6.根據權利要求2所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述第一主體部及上述第二主體部是板狀結構物。
7.根據權利要求2所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述第一主體部是柱狀結構物,上述第二主體部是圍繞上述第一主體部的空心的柱狀結構物。
8.根據權利要求1所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體凝結部并列設置有多個。
9.一種源氣體供給裝置,在采用化學氣相沉積法進行薄膜蒸鍍時,向蒸鍍室供給源氣體,其特征在于,包括:
源氣體生成部,加熱源物質而生成源氣體;
源氣體凝結部,在上述源氣體生成部生成的源氣體流入上述源氣體凝結部并被凝結;
載氣供給部,用于供給載氣以使在上述源氣體生成部生成的源氣體順利地流入上述源氣體凝結部;以及
傳感器部,用于檢測通過上述源氣體凝結部的載氣流量;
當上述檢測到的流量大于事先設定的流量時,使源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結部,并使源氣體在上述源氣體凝結部被凝結;當上述檢測到的流量與事先設定的流量實質上相同時,阻斷源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結部,并使凝結在上述源氣體凝結部內的源氣體流入上述蒸鍍室。
10.根據權利要求9所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體凝結部并列設置有多個。
11.根據權利要求9所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體凝結部包括配置在上述源氣體生成部側的第一凝結部和配置在上述蒸鍍室側的第二凝結部。
12.根據權利要求11所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述第一凝結部是管狀結構物。
13.根據權利要求11所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述第二凝結部是網狀結構物。
14.根據權利要求13所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
隨著源氣體在上述網狀結構物上凝結,通過上述網狀結構物的載氣流量減少。
15.根據權利要求14所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
當上述減少的載氣流量達到在上述網狀結構物上未凝結有源氣體時通過上述網狀結構物的載氣流量的1/n時,阻斷源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結部,其中,n是大于等于2的整數。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





