1.一種MIM電容器，包括：

第一和第二導體圖形(11A，11B)，埋置在第一層間絕緣膜(11)中而以彼此相對的關系在所述第一層間絕緣膜(11)中連續延伸；以及

第三和第四導體圖形(13A，13B)，埋置在第三層間絕緣膜(13)中，所述第三層間絕緣膜(13)經由第二層間絕緣膜(12)在所述第一層間絕緣膜(11)上方形成，

所述第三和第四導體圖形(13A，13B)以彼此相對的關系在所述第三層間絕緣膜(13)中連續延伸，

其中，第五導體圖形(12A)埋置在所述第二層間絕緣膜(12)中而與所述第一和第三導體圖形(11A，13A)相對應地在所述第二層間絕緣膜(12)中連續延伸，所述第五導體圖形(12A)將所述第一和第三導體圖形(11A，13A)連續連接，

第六導體圖形(12B)埋置在所述第二層間絕緣膜(12)中而與所述第二和第四導體圖形(11B，13B)相對應地在所述第二層間絕緣膜(12)中連續延伸，所述第六導體圖形(12B)將所述第二和第四導體圖形(11B，13B)連續連接。

2.如權利要求1所述的MIM電容器，其中，所述第一、第三和第五導體圖形(11A，13A，12A)具有相同的形狀和相同的大小，并且所述第二、第四和第六導體圖形(11B，13B，12B)具有相同的形狀和相同的大小。

3.如權利要求1所述的MIM電容器，其中，所述第五導體圖形(12A)連續于所述第三導體圖形(13A)之下形成，所述第五導體圖形(12A)在其底部與所述第一導體圖形(11A)相接觸，所述第六導體圖形(12B)連續于所述第四導體圖形(13B)之下形成，所述第六導體圖形(12B)在其底部與所述第二導體圖形(11B)相接觸。

4.如權利要求3所述的MIM電容器，其中，所述第三和第四導體圖形(13A，13B)被暴露在所述第三層間絕緣膜(13)的表面，所述第三和第四導體圖形(13A，13B)具有與所述第三層間絕緣膜(13)表面齊平的各自的暴露表面。

5.如權利要求3所述的MIM電容器，其中，所述第三導體圖形(13A)具有形成有第一阻擋金屬膜的側壁表面，所述第一阻擋金屬膜還連續覆蓋所述第五導體圖形(12A)的側壁表面和底表面，所述第四導體圖形(13B)具有由第二阻擋金屬膜覆蓋的側壁表面，所述第二阻擋金屬膜連續覆蓋所述第六導體圖形(12B)的側壁表面和底表面。

6.如權利要求3所述的MIM電容器，其中，在所述第一層間絕緣膜(11)和所述第二層間絕緣膜(12)之間的界面處形成作為蝕刻停止層的第一絕緣膜，在所述第二層間絕緣膜(12)和所述第三層間絕緣膜(13)之間的界面處形成第二絕緣膜。

7.如權利要求1所述的MIM電容器，其中，所述第五和第六導體圖形(12A，12B)由與所述第三和第四導體圖形(13A，13B)不同的材料形成。

8.如權利要求7所述的MIM電容器，其中，所述第三和第四導體圖形(13A，13B)具有由高熔點金屬覆蓋的各自的側壁表面和底表面。

9.如權利要求1所述的MIM電容器，其中，所述第一和第二導體圖形(11A，11B)形成梳狀電極圖形，所述第三和第四導體圖形(13A，13B)和所述第五和第六導體圖形(12A，12B)形成與所述梳狀電極圖形相對應的各自的梳狀電極圖形。