1、熒光猝滅分析中去除猝滅劑吸收影響的校正方法，其特征按如下步驟進行：

a、用光譜曲線a校正獲得曲線A′；

所述光譜曲線a為單獨熒光試劑受激發光激發后所產生的熒光的實際測量譜，以函數I₁(λ)表征光譜曲線a；以函數I′₁(λ)表征對熒光試劑與猝滅劑的混合樣品，去除直接吸收影響后熒光試劑實際可以發出的未被猝滅的熒光譜曲線A′；

則I1′(λ)=10-ΔE1(1-10-ΔE2)[1-10-n(ΔE1+ΔE2)](1-10-n·ΔE2)[1-10-(ΔE1+ΔE2)]×I1(λ)---(1)]]>

式(1)中ΔE₁＝ε₁c₁Δl為猝滅劑對應激發波長的元消光度；

ΔE₂＝ε₂c₂Δl為熒光試劑對應激發波長的元消光度；

Δl為樣品細分單元層的厚度；

n為樣品細分單元層的層數；

ε₁為猝滅劑對應激發波長的摩爾吸收系數；

ε₂為熒光試劑對應激發波長的摩爾吸收系數；

c₁為猝滅劑的摩爾濃度；

c₂為熒光試劑的摩爾濃度；

令：測量熒光譜時所用樣品池的寬度和厚度均為L，將樣品池中的樣品假定為一系列與激發光垂直的等厚薄層，每一個薄層均為一細分單元層，則Δl、n、L三者間的關系為：n×Δl＝L；

b、用光譜曲線b校正獲得校正曲線B′；

所述光譜曲線b為熒光試劑與猝滅劑混合樣品所產生的熒光的實際測量譜；用函數I₂(λ)表征曲線b，用函數I′₂(λ)表征所述A′被猝滅劑猝滅以后的熒光譜線曲線B′；

則I2′(λ)=10n2ΔE1(λ)×I2(λ)---(2)]]>

式(2)中ΔE₁(λ)＝ε₁(λ)c₁Δl為猝滅劑與波長相關的元消光度函數；

ε₁(λ)為猝滅劑與波長相關的摩爾吸收系數函數；

c₁為猝滅劑的摩爾濃度；

Δl為樣品細分單元層的厚度；

n為樣品細分單元層的層數。