1.一種醫(yī)療器械，所述醫(yī)療器械包括：

脈管接入裝置，所述脈管接入裝置包括具有腔的本體；

隔膜，定位在所述腔內(nèi)，所述隔膜具有縫隙；

穿過所述醫(yī)療器械的流體通路，所述流體通路具有薄層，其中所述薄層與致病菌環(huán)境連通；并且

其中所述薄層阻止致病菌粘附到所述薄層上以抑制致病菌活性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括射頻涂層，并且其中射頻活化涂層被加熱以抑制致病菌活性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括用來接收電場的電阻和導(dǎo)電涂層，并且其中所述涂層由快速振蕩電場加熱以抑制致病菌活性。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的醫(yī)療器械，其中所述電阻和導(dǎo)電涂層包括鎳鉻合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括玻璃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括陶瓷。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括小鏈聚環(huán)氧乙烷、聚乙烯醇、或聚交酯。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括聚四氟乙烯。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括間隔開以抑制致病菌活性的峰和谷的微表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層涂有等離子體。

11.一種抑制在脈管接入裝置中的致病菌活性的方法，該方法包括：

提供脈管接入裝置，該脈管接入裝置設(shè)有具有腔的本體；定位在所述腔內(nèi)的具有縫隙的隔膜，所述隔膜還包括薄層；以及

用材料涂敷所述薄層，從而所述薄層阻止致病菌粘附到所述薄層上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括將射頻能量傳播到所述薄層。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括將快速振蕩電場發(fā)射到所述薄層，其中所述薄層包括鎳鉻合金。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述薄層包括玻璃。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述薄層包括陶瓷。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述薄層包括小鏈聚環(huán)氧乙烷、聚乙烯醇、或聚交酯。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述薄層包括聚四氟乙烯。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中用薄層涂敷本體包括形成一系列微表面峰和谷。

19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述薄層包括等離子體。

20.一種醫(yī)療器械，包括：

用來接入病人的脈管系統(tǒng)的裝置，和

用來阻止致病菌的粘附的裝置，

其中致病菌駐留在所述用來接入病人的脈管系統(tǒng)的裝置附近，

其中所述用來接入脈管系統(tǒng)的裝置包括具有腔的本體、和具有薄層的分裂隔膜，該隔膜定位在所述腔內(nèi)。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括射頻涂層，所述射頻涂層能夠被加熱以抑制致病菌活性。

22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括用來接收電場的電阻和導(dǎo)電涂層，所述電阻和導(dǎo)電涂層能夠由快速振蕩電場加熱以抑制致病菌活性。

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的醫(yī)療器械，其中所述電阻和導(dǎo)電涂層包括鎳鉻合金。

24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括玻璃。

25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括陶瓷。

26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括小鏈聚環(huán)氧乙烷、聚乙烯醇、或聚交酯。

27.根據(jù)權(quán)利要求20所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括聚四氟乙烯。

28.根據(jù)權(quán)利要求20所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層包括間隔開以抑制致病菌活性的峰和谷的微表面。

29.根據(jù)權(quán)利要求20所述的醫(yī)療器械，其中所述薄層涂有等離子體。