技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有非易失性存儲器的半導(dǎo)體器件和IC卡，更具體地說，涉及用于在非易失性存儲器中可靠地初始化數(shù)據(jù)的技術(shù)。

背景技術(shù)

在無任何電源供給情況下也能留存數(shù)據(jù)的非易失性存儲器，經(jīng)常安裝在大規(guī)模集成電路(LSI)中。當(dāng)此非易失性存儲器安裝在LSI中時，任何必要的初始數(shù)據(jù)都存儲于非易失性存儲器中，并且具有此存儲了這種必要數(shù)據(jù)的非易失性存儲器的LSI被運送。正如日本專利文獻(日本專利公開No.2000-259602)所述，初始數(shù)據(jù)的示例包括制造LSI時所使用的產(chǎn)品管理信息、判斷產(chǎn)品質(zhì)量時所使用的各種信息以及諸如型號專用信息(model-specific?information)之類的各種數(shù)據(jù)。使用這種數(shù)據(jù)以方便在運送后發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品有缺陷時進行維護服務(wù)。

在安裝于IC卡內(nèi)的LSI中，使用運輸密鑰來防止因LSI和IC卡在運輸過程中被盜所致的非法使用(例如，參見日本專利文獻(日本專利公開No.2004-102635))。在制造LSI時，運輸密鑰的信息存儲在非易失性存儲器中作為初始數(shù)據(jù)，在這之后，LSI被運送。除了上述數(shù)據(jù)之外，諸如用于設(shè)置LSI功能的配置信息之類的其它初始數(shù)據(jù)，也被LSI的制造商存儲在非易失性存儲器中。

非易失性存儲器種類繁多，包括鐵電體存儲器、EEPROM、熔絲存儲器和掩模ROM，并且這些存儲器中的每一種都各有其優(yōu)缺點。例如，鐵電體存儲器的優(yōu)點在于其出色的存取速度和可重寫性；但是，不利的是其抗應(yīng)力特性(耐熱應(yīng)力特性和抗應(yīng)力特性)劣于其它非易失性存儲器。此外，舉熔絲存儲器來說，其優(yōu)勢在于它的抗應(yīng)力特性和數(shù)據(jù)留存性能；但是，其劣勢在于只可重寫一次。

在成為最終產(chǎn)品之前，LSI可能會在任一制造步驟中承受某種應(yīng)力。例如，在將LSI封裝焊接到襯底上的回流步驟中，當(dāng)LSI安裝在襯底上時，會有接近250℃的熱應(yīng)力施加到LSI上。然而，在使用鐵電體存儲器作為非易失性存儲器的情況下，初始數(shù)據(jù)可能會由于制造步驟中的熱應(yīng)力而被毀壞。另一方面，就抗應(yīng)力特性好的熔絲存儲器和EEPROM而言，它們諸如存取速度和可重寫性這樣的基本性能又無法滿足所需規(guī)范。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的主要目的在于使存儲有非易失性存儲器的半導(dǎo)體器件和IC卡能可靠地留存初始數(shù)據(jù)，而不會使非易失性存儲器中所需的基本性能惡化。

為了實現(xiàn)前述目的，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括：

第一非易失性存儲器；

存儲有初始數(shù)據(jù)的第二非易失性存儲器；和

用于初始化所述第一非易失性存儲器的初始化控制器，其中，

所述第二非易失性存儲器的抗應(yīng)力特性高于所述第一非易失性存儲器的抗應(yīng)力特性，并且

所述初始化控制器在所述第一非易失性存儲器被初始化時從所述第二非易失性存儲器讀取所述初始數(shù)據(jù)，并將所讀取的初始數(shù)據(jù)復(fù)制在所述第一非易失性存儲器中，以初始化所述第一非易失性存儲器。

在前述結(jié)構(gòu)中，第二非易失性存儲器的抗應(yīng)力特性(耐熱應(yīng)力特性/抗應(yīng)力特性)高。在初始階段，初始數(shù)據(jù)存儲在抗應(yīng)力特性高的第二非易失性存儲器中。因為第二非易失性存儲器的抗應(yīng)力特性高，所以即使在運送后有任何應(yīng)力或熱應(yīng)力施加到LSI，留存在第二非易失性存儲器的初始數(shù)據(jù)也能被可靠地留存。因此，在施加應(yīng)力或熱應(yīng)力之后，初始數(shù)據(jù)能準確地從第二非易失性存儲器中讀取出來，并被復(fù)制到第一非易失性存儲器中。當(dāng)施加應(yīng)力或熱應(yīng)力時，第一非易失性存儲器中沒有初始數(shù)據(jù)，并且在施加應(yīng)力或熱應(yīng)力之后，初始數(shù)據(jù)從第二非易失性存儲器復(fù)制到第一非易失性存儲器中。因為在復(fù)制初始數(shù)據(jù)之后不再施加應(yīng)力或熱應(yīng)力，所以初始數(shù)據(jù)可以可靠地留存在第一非易失性存儲器中。因為第一非易失性存儲器的存取速度和可重寫性之類的性能較好而抗應(yīng)力特性相對較低，所以上述操作非常合適。根據(jù)本發(fā)明，初始數(shù)據(jù)可以被可靠地留存，而不會使非易失性存儲器的性能惡化。

根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選模式，該初始化控制器包括：