[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和IC卡無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710149508.8 | 申請(qǐng)日: | 2007-09-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101140546A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉岡和樹(shù);中根讓治;間野良隆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G06F12/16 | 分類號(hào): | G06F12/16;G11C7/20;G06K19/073 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 陸弋;宋志強(qiáng) |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 ic | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:
第一非易失性存儲(chǔ)器;
存儲(chǔ)有初始數(shù)據(jù)的第二非易失性存儲(chǔ)器;和
用于初始化所述第一非易失性存儲(chǔ)器的初始化控制器,其中
所述第二非易失性存儲(chǔ)器的抗應(yīng)力特性高于所述第一非易失性存儲(chǔ)器的抗應(yīng)力特性,并且
所述初始化控制器在所述第一非易失性存儲(chǔ)器被初始化時(shí)從所述第二非易失性存儲(chǔ)器讀取所述初始數(shù)據(jù),并將所讀取的初始數(shù)據(jù)復(fù)制在所述第一非易失性存儲(chǔ)器中,以初始化所述第一非易失性存儲(chǔ)器。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中
所述初始化控制器包括:
讀取器,用于從所述第二非易失性存儲(chǔ)器讀取所述初始數(shù)據(jù);和
寫入器,用于將所讀取的初始數(shù)據(jù)寫入到所述第一非易失性存儲(chǔ)器中。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中
所述初始化控制器使設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件中的部分功能無(wú)效,直至通過(guò)將所述初始數(shù)據(jù)復(fù)制到所述第一非易失性存儲(chǔ)器中來(lái)完成所述第一非易失性存儲(chǔ)器的初始化為止,并且所述初始化控制器將表示允許/禁止初始化的初始化允許標(biāo)志設(shè)置成允許狀態(tài),并且
一旦通過(guò)將所述初始數(shù)據(jù)復(fù)制到第一非易失性存儲(chǔ)器中來(lái)完成所述第一非易失性存儲(chǔ)器的初始化,所述初始化控制器就進(jìn)一步將所述初始化允許標(biāo)志移至禁止?fàn)顟B(tài)。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件,其中
在所述初始化允許標(biāo)志被移至禁止?fàn)顟B(tài)時(shí),所述初始化控制器不允許所述第二非易失性存儲(chǔ)器中的部分或全部地址被訪問(wèn)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中
轉(zhuǎn)移目的地地址信息與所述初始數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)在所述第二非易失性存儲(chǔ)器中,并且
所述初始化控制器將從所述第二非易失性存儲(chǔ)器中讀取的初始數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述第一非易失性存儲(chǔ)器中由所述轉(zhuǎn)移目的地地址信息指定的地址處。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件,其中
所述初始化控制器進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)處理器,其中
該數(shù)據(jù)處理器對(duì)由所述讀取器從所述第二非易失性存儲(chǔ)器中讀取的初始數(shù)據(jù)執(zhí)行計(jì)算處理,并將處理結(jié)果提供給所述寫入器。
7.一種IC卡,包括:
如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件;
傳送/接收電路,用于與外部提供的讀取器/寫入器進(jìn)行通信;和
控制電路,用于根據(jù)所述傳送/接收電路接收到的命令控制所述半導(dǎo)體器件中的初始化控制器,并使所述初始化控制器從所述第二非易失性存儲(chǔ)器中讀取初始數(shù)據(jù),以及通過(guò)將所讀取的初始數(shù)據(jù)復(fù)制到第一非易失性存儲(chǔ)器中來(lái)初始化所述第一非易失性存儲(chǔ)器。
8.一種初始化半導(dǎo)體器件的方法,包括步驟:
在所述半導(dǎo)體器件中提供第一非易失性存儲(chǔ)器和抗應(yīng)力特性高于該第一非易失性存儲(chǔ)器的抗應(yīng)力特性的第二非易失性存儲(chǔ)器;
在所述第二非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)初始數(shù)據(jù);和
通過(guò)從所述第二非易失性存儲(chǔ)器中讀取所述初始數(shù)據(jù)并將所讀取的初始數(shù)據(jù)復(fù)制到所述第一非易失性存儲(chǔ)器中來(lái)初始化所述第一非易失性存儲(chǔ)器。
9.如權(quán)利要求8所述初始化半導(dǎo)體器件的方法,其中
在對(duì)所述半導(dǎo)體器件執(zhí)行向其施加應(yīng)力的處理過(guò)程之后,執(zhí)行所述初始化第一非易失性存儲(chǔ)器的步驟。
10.如權(quán)利要求8所述初始化半導(dǎo)體器件的方法,其中
在所述存儲(chǔ)初始數(shù)據(jù)的步驟中,
使設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件中的部分功能無(wú)效,并且在通過(guò)將所述初始數(shù)據(jù)復(fù)制到第一非易失性存儲(chǔ)器中來(lái)初始化所述第一非易失性存儲(chǔ)器還沒(méi)有完成的狀態(tài)下,將表示允許/禁止初始化的初始化允許標(biāo)志設(shè)置成允許狀態(tài),并且
響應(yīng)于完成通過(guò)將所述初始數(shù)據(jù)復(fù)制到所述第一非易失性存儲(chǔ)器中來(lái)初始化所述第一非易失性存儲(chǔ)器,將所述初始化允許標(biāo)志設(shè)置成禁止?fàn)顟B(tài)。
11.如權(quán)利要求10所述初始化半導(dǎo)體器件的方法,其中
當(dāng)在所述存儲(chǔ)初始數(shù)據(jù)的步驟中將所述初始化允許標(biāo)志移至禁止?fàn)顟B(tài)時(shí),不允許訪問(wèn)所述第二非易失性存儲(chǔ)器中的部分或全部地址。
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