[發(fā)明專利]成膜方法、成膜用掩模和成膜裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580050206.4 | 申請(qǐng)日: | 2005-08-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101208455A | 公開(公告)日: | 2008-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 渡部將弘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士通日立等離子顯示器股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/04 | 分類號(hào): | C23C16/04;C23C16/44;H01J9/02 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 方法 成膜用掩模 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及利用化學(xué)氣相沉積法形成膜的成膜方法和在成膜中用于進(jìn)行掩蔽的掩模。
背景技術(shù)
化學(xué)氣相沉積法(Chemical?Vapor?Deposition:CVD)是利用化學(xué)反應(yīng)由原料氣體形成膜的成膜方法,在工業(yè)上廣泛地應(yīng)用于從以半導(dǎo)體裝置為首的微細(xì)器件的薄膜的形成到米量級(jí)的物體的涂敷。
近年,化學(xué)氣相沉積法也被用于具有對(duì)角1米以上的大畫面的顯示面板的制造。在日本特開2000-21304號(hào)公報(bào)中記載有,在AC等離子體顯示面板的制造中,利用等離子體CVD形成將電極覆蓋的電介質(zhì)層。如果利用化學(xué)氣相沉積法,則能夠得到薄且厚度均勻的電介質(zhì)層,并且,能夠在比厚膜法低的溫度下形成由介電常數(shù)比作為一般材料的低熔點(diǎn)玻璃小的二氧化硅、有機(jī)氧化硅等物質(zhì)構(gòu)成的電介質(zhì)層。
通常,用于利用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行的成膜的成膜裝置,想辦法使得向成膜面均勻地供給原料物質(zhì)。例如,在日本特開平11-350143號(hào)公報(bào)中記載的平行平板型的等離子體CVD裝置中,在反應(yīng)室的氣體導(dǎo)入口與成膜面之間,配置有有意使厚度不均勻的噴淋板。該噴淋板是向成膜面整體噴出氣體的噴嘴,具有很多微細(xì)的噴出孔。在該噴淋板中,利用孔的氣體流量依賴于孔的長(zhǎng)度,選定噴淋板的各位置的厚度,使得無論是板的中央還是端部,氣體的噴出量都均勻。
另一方面,當(dāng)利用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行成膜時(shí),在成膜對(duì)象的物體上有不用成膜的部位時(shí),對(duì)該部位進(jìn)行掩蔽。在作為與掩蔽相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)的日本特開平11-269646號(hào)公報(bào)中,公開了使用具有與成膜對(duì)象相同程度的熱膨脹率的夾具進(jìn)行掩蔽的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2000-21304號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開平11-350143號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開平11-269646號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
在利用化學(xué)氣相沉積法在排列有電極的基板上形成電介質(zhì)層的等離子體顯示面板的制造中,當(dāng)為了使電極的端子部露出而在基板上重疊掩模進(jìn)行掩蔽時(shí),有電介質(zhì)層的厚度變得不均勻的問題。掩模附近比其它部分厚。
電介質(zhì)層的厚度的不均勻,會(huì)引起構(gòu)成畫面的單元間的動(dòng)作特性的偏差。為了進(jìn)行高品質(zhì)的穩(wěn)定的顯示,希望電介質(zhì)層的厚度均勻。
本發(fā)明的目的是,在進(jìn)行掩蔽的成膜中,使膜厚均勻。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的的成膜方法,是將物體的表面部分地掩蔽,利用化學(xué)氣相沉積法在表面的露出部分形成膜的方法,在反應(yīng)室內(nèi)成膜時(shí),利用內(nèi)部具有通氣路并且具有與通氣路和外面相通的通氣孔的掩模,進(jìn)行物體的掩蔽,通過使用掩模內(nèi)的通氣路對(duì)供給至由掩模覆蓋的非成膜面的原料氣體進(jìn)行排氣或稀釋,對(duì)反應(yīng)室內(nèi)的原料物質(zhì)的濃度分布進(jìn)行控制,使得在成膜面內(nèi)成膜速度均勻。
附圖說明
圖1為表示等離子體顯示面板的單元結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的分解立體圖。
圖2為表示顯示電極的圖案的平面圖。
圖3為表示在等離子體顯示面板的制造中形成電介質(zhì)層時(shí)需要掩蔽的區(qū)域的圖。
圖4為在等離子體顯示面板的制造中使用的掩模的平面圖。
圖5為圖4的a-a箭頭方向的剖面圖。
圖6為表示第一實(shí)施方式的成膜裝置的概要的示意圖。
圖7為表示在等離子體顯示面板的制造中使用的掩模的另一個(gè)例子的平面圖。
圖8為表示第二實(shí)施方式的成膜裝置的概要的示意圖。
具體實(shí)施方式
以下,舉等離子體顯示面板的電介質(zhì)層的形成為例,對(duì)本發(fā)明的成膜方法進(jìn)行說明。
[第一實(shí)施方式]
圖1為表示等離子體顯示面板的單元結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的分解立體圖。在圖1中,為了易于弄清內(nèi)部結(jié)構(gòu),將前面板10和背面板20分開畫。
等離子體顯示面板1由前面板10和背面板20構(gòu)成。前面板10包括玻璃基板11、顯示電極X和Y、電介質(zhì)層17、和保護(hù)膜18。顯示電極X、Y分別是圖案化的透明導(dǎo)電膜41和金屬膜42的疊層體。電介質(zhì)層17和保護(hù)膜18覆蓋顯示電極X、Y。背面板20包括玻璃基板21、尋址電極A、絕緣層24、多個(gè)隔壁29、和熒光體層28R、28G、28B。例示的隔壁29的配置圖案為條紋圖案。圖中的括號(hào)內(nèi)的字母R、G、B表示熒光體的發(fā)光色。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于富士通日立等離子顯示器股份有限公司,未經(jīng)富士通日立等離子顯示器股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/200580050206.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





