1.一種成膜方法，其為將物體的表面部分地掩蔽，利用化學氣相沉積法在所述表面的露出部分形成膜的成膜方法，其特征在于：

在反應室內成膜時，利用內部具有通氣路并且具有與所述通氣路和外面相通的通氣孔的掩模，進行物體的掩蔽，

使用所述通氣路對所述反應室內的原料物質的濃度分布進行控制。

2.一種成膜方法，其為將物體的表面部分地掩蔽，利用化學氣相沉積法在所述表面的露出部分形成膜的成膜方法，其特征在于：

在反應室內成膜時，利用內部具有通氣路并且具有與所述通氣路和外面相通的通氣孔的掩模，進行物體的掩蔽，

在成膜期間，將所述反應室內的氣體從所述通氣孔向所述通氣路吸引。

3.一種成膜方法，其為將物體的表面部分地掩蔽，利用化學氣相沉積法在所述表面的露出部分形成膜的成膜方法，其特征在于：

在反應室內成膜時，利用內部具有通氣路并且具有與所述通氣路和外面相通的通氣孔的掩模，進行物體的掩蔽，

在成膜期間，與向所述反應室導入原料氣體并行，通過所述通氣路和通氣孔導入不活潑氣體。

4.一種掩模，其特征在于：

內部具有通氣路并且具有與所述通氣路和外面相通的通氣孔，用于在利用化學氣相沉積法進行的成膜中進行掩蔽。

5.一種成膜裝置，其特征在于：

包括權利要求4所述的掩模，利用化學氣相沉積法進行成膜。