1.一種制造半導體器件的方法，該半導體器件包括下層布線和形成在下層布線上并具有與下層布線連接的連接孔的層間絕緣膜，該方法包括以下步驟：

通過刻蝕層間絕緣膜形成連接孔，其中形成連接孔的步驟包括：

在第一刻蝕條件下通過物理反應至少在下層布線附近刻蝕部分下層布線；和

在保證相對于下層布線的選擇率的第二刻蝕條件下，刻蝕部分層間絕緣膜。

2.根據權利要求1的方法，其中，在第一和第二刻蝕條件下的刻蝕是包括物理反應和化學反應的反應離子刻蝕，并且第一和第二刻蝕條件根據物理反應和化學反應之間的比例調整來確定。

3.根據權利要求2的方法，其中，反應離子刻蝕在層間絕緣膜上化學地采用活性氣體和惰性氣體，并且在第一刻蝕條件下采用惰性氣體時獲得的刻蝕速率大于在第二刻蝕條件下采用惰性氣體時獲得的刻蝕速率。

4.根據權利要求3的方法，其中惰性氣體包括氬氣。

5.根據權利要求1-4中的一項的方法，其中下層布線由選自多晶硅、非晶硅、硅化物、鋁、鋁合金、鎢、鈦、鉭、以及多晶硅、非晶硅、硅化物、鋁、鋁合金、鎢、鈦和鉭的化合物中的一種形成。

6.一種制造半導體器件的方法，該半導體器件包括下層布線和形成在下層布線上并具有與下層布線連接的連接孔的層間絕緣膜，該方法包括以下步驟：

通過化學反應或物理反應刻蝕部分層間絕緣膜，直到露出下層布線的表面為止，從而形成連接孔；

通過物理反應刻蝕下層布線的部分表面，在下層布線的部分表面上和在連接孔的壁上形成刻蝕抑制膜，和

過刻蝕與下層布線相鄰的部分層間絕緣膜。

7.根據權利要求6的方法，其中，在物理反應期間獲得的刻蝕速率大于在過刻蝕期間獲得的刻蝕速率。

8.根據權利要求6或7的方法，其中，過刻蝕部分層間絕緣膜的步驟包括在保證相對于下層布線的選擇率的刻蝕條件下過刻蝕層間絕緣膜。

9.一種半導體器件，包括：

第一布線層；

第二布線層；

設置在第一布線層和第二布線層之間的層間絕緣膜；

形成在層間絕緣膜中以連接第一布線層和第二布線層的連接孔；

形成在連接孔中的連接布線，

其中，層間絕緣膜包括與連接布線相鄰的空氣層；和

形成在連接孔的壁上以分離連接布線和空氣層的絕緣膜。

10.根據權利要求9的半導體器件，其中，層間絕緣膜包括上層、下層以及設置在上層和下層之間并具有空氣層的中間層。

11.根據權利要求9或10的半導體器件，還包括：

設置在該層間絕緣膜上的第二層間絕緣膜；

設置在第二層間絕緣膜上的第一電極；

設置在第二層間絕緣膜上并與第一電極隔開的第二電極；

其中第二層間絕緣膜具有與第二電極連接的連接孔；和

形成在連接孔中并與第二電極相連的連接布線。

12.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

制備布線層；

在布線層上形成層間絕緣膜，其中，層間絕緣膜包括上層、下層以及設置在上層和下層之間的中間層；

在層間絕緣膜中形成與布線層連接的連接孔；

通過連接孔同時保證相對于上層和下層的選擇率而刻蝕中間層，從而形成空氣層；

在確定連接孔的表面上形成絕緣壁；和

在與絕緣壁相鄰的連接孔中形成連接布線。

13.根據權利要求12的方法，其中，形成絕緣壁的步驟包括：

在層間絕緣膜上和連接孔中淀積絕緣膜；和

在絕緣膜上進行各向異性刻蝕，以便形成絕緣壁。

14.根據權利要求12或13的方法，其中，層間絕緣膜的中間層包括旋涂玻璃膜，形成空氣層的步驟包括利用含氟溶液刻蝕中間層。

15.根據權利要求12或13的方法，其中，層間絕緣膜的中間層包括有機絕緣膜，并且形成空氣層的步驟包括利用氧氣的等離子體刻蝕中間層。