本發明涉及半導體集成電路中使用的Al(鋁)布線、W(鎢)布線、Cu(銅)布線、金屬柵等的形成工序中的抗蝕劑除去工序中使用的抗蝕劑除去液、以及使用該藥液的半導體裝置的制造方法。

作為將抗蝕劑除去所要求的特性有兩點：將殘渣充分地除去，不刻蝕布線材料和層間絕緣膜材料。

在使用現有的Al布線的器件中，殘渣的除去性和刻蝕規范的要求隨工序的不同而不同，所以對應于Al布線加工后或孔刻蝕后等的工序，使用不同的藥液。

鑒于上述情況，除去抗蝕劑殘渣時需要多種剝離液，成為成本高的原因，期待著能用單一的藥液將Al布線工序中的抗蝕劑殘渣完全除去。

另外，近年來在微細化的器件的Al布線加工后將抗蝕劑殘渣除去的工序中，防止W栓消失或抑制由于刻蝕AlCu而產生的布線電阻的上升或布線的可靠性惡化等成為很大的問題。因此，在滿足上述所要求的規格的基礎上，要求開發這樣一種抗蝕劑殘渣除去液，即該抗蝕劑殘渣除去液在Al布線的刻蝕后及孔刻蝕后都能使用，以便能降低成本。

除了上述的Al布線以外，迄今使用的W布線、或考慮到今后隨著應用的進展而適用于器件的Cu布線、或使用現有的poly-Si(多晶硅)或WSi以外的金屬材料的金屬柵等的加工后，抗蝕劑殘渣處理工序也都是必要的。在這些工序中也要求開發能滿足下述條件的抗蝕劑殘渣除去液，即該抗蝕劑殘渣除去液具有充分的殘渣除去性能以及不會刻蝕布線材料或層間絕緣膜材料。

發明的第一方面的半導體裝置的制造方法的特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鋁膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鋁膜形成鋁膜圖形的工序；以及繼上述鋁膜圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑的工序。

發明的第二方面的半導體裝置的制造方法的特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鋁膜的工序；用上述鋁膜通過使用抗蝕劑的照相制版形成鋁膜圖形的工序；對上述抗蝕劑進行灰化的工序；以及利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑殘渣的工序。

發明的第三方面的半導體裝置的制造方法的特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鋁膜的工序；通過使用抗蝕劑掩模的照相制版從上述鋁膜形成鋁膜圖形的工序；在上述鋁膜圖形上形成層間絕緣膜的工序；通過使用另一抗蝕劑掩模的照相制版，在上述層間絕緣膜中形成到達上述鋁膜圖形的孔圖形的工序；以及繼上述孔圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑的處理工序。

發明的第四方面的半導體裝置的制造方法的特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鋁膜的工序；通過使用抗蝕劑掩模的照相制版從上述鋁膜形成鋁膜圖形的工序；在上述鋁膜圖形上形成層間絕緣膜的工序；通過使用另一抗蝕劑掩模的照相制版，在上述層間絕緣膜中形成到達上述鋁膜圖形的孔圖形的工序；對上述另一抗蝕劑進行灰化的工序；以及利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑殘渣的工序。

發明的第五方面的半導體裝置的制造方法的特征在于：在發明的第一至第四方面中的任意一方面所述的制造方法中，還包括在上述鋁膜形成之前、或者在上述鋁膜形成之后，形成附著于上述鋁膜的至少一側表面上的阻擋金屬層的工序。

發明的第六方面的半導體裝置的制造方法的特征在于：在發明的第一至第五方面中的任意一方面所述的制造方法中，還包括在上述鋁膜形成之前在上述基底層中形成導電部的工序，與上述導電部導電性連接地形成上述鋁膜圖形。

發明的第七方面的半導體裝置的制造方法的特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鎢膜或銅膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鎢膜或銅膜形成鎢膜圖形或銅膜圖形的工序；以及繼上述鎢膜圖形或銅膜圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑的處理工序。

發明的第八方面的半導體裝置的制造方法的特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鎢膜或銅膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鎢膜或銅膜形成鎢膜圖形或銅膜圖形的工序；對上述抗蝕劑進行灰化的工序；以及繼上述鎢膜圖形或銅膜圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑殘渣的處理工序。