1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鋁膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鋁膜形成鋁膜圖形的工序；以及繼上述鋁膜圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑的工序。

2.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鋁膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鋁膜形成鋁膜圖形的工序；灰化上述抗蝕劑的工序；以及利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑殘渣的工序。

3.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鋁膜的工序；通過使用抗蝕劑掩模的照相制版從上述鋁膜形成鋁膜圖形的工序；在上述鋁膜圖形上形成層間絕緣膜的工序；通過使用另一抗蝕劑掩模的照相制版，在上述層間絕緣膜中形成到達上述鋁膜圖形的孔圖形的工序；以及繼上述孔圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑的處理工序。

4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鋁膜的工序；通過使用抗蝕劑掩模的照相制版從上述鋁膜形成鋁膜圖形的工序；在上述鋁膜圖形上形成層間絕緣膜的工序；通過使用另一抗蝕劑掩模的照相制版，在上述層間絕緣膜中形成到達上述鋁膜圖形的孔圖形的工序；灰化上述另一抗蝕劑的工序；以及利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑殘渣的工序。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鎢膜或銅膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鎢膜或銅膜形成鎢膜圖形或銅膜圖形的工序；以及繼上述鎢膜圖形或銅膜圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑的處理工序。

6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鎢膜或銅膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鎢膜或銅膜形成鎢膜圖形或銅膜圖形的工序；灰化上述抗蝕劑的工序；以及繼上述鎢膜圖形或銅膜圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑殘渣的處理工序。

7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鎢膜或銅膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鎢膜或銅膜形成鎢膜圖形或銅膜圖形的工序；在上述鎢膜圖形或銅膜圖形上形成層間絕緣膜的工序；通過使用另一抗蝕劑掩模的照相制版，在上述層間絕緣膜中形成到達上述鎢膜圖形或銅膜圖形的孔圖形的工序；以及繼上述孔圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述另一抗蝕劑的處理工序。

8.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成鎢膜或銅膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述鎢膜或銅膜形成鎢膜圖形或銅膜圖形的工序；在上述鎢膜圖形或銅膜圖形上形成層間絕緣膜的工序；通過使用另一抗蝕劑掩模的照相制版，在上述層間絕緣膜中形成到達上述鎢膜圖形或銅膜圖形的孔圖形的工序；灰化上述另一抗蝕劑的工序；以及繼上述孔圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述另一抗蝕劑殘渣的工序。

9.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成復合金屬膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述復合金屬膜形成復合金屬膜圖形的工序；以及繼上述復合金屬膜圖形的形成之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑的工序。

10.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成復合金屬膜的工序；通過使用抗蝕劑的照相制版從上述復合金屬膜形成復合金屬膜圖形的工序；灰化上述抗蝕劑的工序；以及利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑殘渣的工序。

11.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在襯底上的基底層上形成復合金屬膜的工序；通過使用抗蝕劑掩模的照相制版從上述復合金屬膜形成復合金屬膜圖形的工序；在上述復合金屬膜圖形上形成另一抗蝕劑掩模、將離子注入上述基底層的工序；以及繼上述離子注入的工序之后，利用含有有機酸或其鹽和水且pH值小于8的藥液除去上述抗蝕劑的工序。