1.用于制作構件的工藝，所述構件包含第一和第二玻璃基板(2，3)，它們通過密封件(14)一個相對于另一個被密封，其特征在于環氧樹脂或聚乙烯丁酸酯(PVB)類的材料用于密封件(14)，且在第一和第二基板(2，3)被定位后在200℃到300℃之間的溫度下對其進行處理。

2.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于聚乙烯丁酸酯(PVB)被用做密封件(14)的材料。

3.根據權利要求1或2所述的工藝，其特征在于在所述密封步驟期間，密封件(14)被加給上等于或大于1kg/cm²的壓強；最好大于2kg/cm²。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的工藝，其特征在于密封件(14)形成薄層，這個密封件的厚度相對其寬度被限定為該密封件內外邊(14a，14b)之間的間隔，它是1∶n，其中n為20或更大，最好大于30；大于40尤好。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的工藝，其特征在于基板(2、3)由堿石灰玻璃制成。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的工藝，其特征在于還包含借助第一和第二基板(2，3)之間包含的空間的入口的機構(16)對到此空間抽真空的步驟，在抽真空后，借助以環氧樹脂或聚乙烯丁酸酯(PVB)為基礎的材料密封這個入口的機構。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的工藝，其特征在于在至少一個基板(2，3)上制得至少一個有機材料層(5，6，7)。

8.根據權利要求7所述的工藝，其特征在于在至少一個基板(2，3)上沉積至少一個有機材料的介電層(5，6)。

9.根據權利要求8所述的工藝，其特征在于使用冷沉積工藝在所述介電層(5，6)上沉積比如氧化鎂的介電材料薄層(51，61)。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的工藝，其特征在于在密封件(14)和至少一個基板(2，3)之間夾有至少一層有機材料層。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的工藝，其特征在于在至少一個基板(2，3)上沉積介電層(5，6)，通過選擇聚苯基喹喔啉(PPQ)或聚酰亞胺(PI)使所述層(5，6)制成為薄層。

12.根據權利要求11所述的工藝，其特征在于在300℃到400℃的溫度下使介電層(5，6)被穩定。

13.根據權利要求11或12所述的工藝，其特征在于使介電層(5，6)被形成具有3到20微米范圍的厚度；所述厚度最好從5到15微米。

14.根據權利要求11至13中任一項所述的工藝，其特征在于將諸如鈦的氧化物的著色劑加入到用于形成介電層(5，6)的材料中。

15.根據權利要求11至14中任一項所述的工藝，其特征在于將包含玻璃微粒的填加物加入到用于形成介電層(5，6)的材料中。

16.根據權利要求1至15中任一項所述的工藝，其特征在于還包含制作由至少一個基板(3)所帶的隆起部件，比如在等離子體面板的情況下為擋條(7)的步驟，這些元件由無需在高于400℃溫度下焙燒的材料制成。

17.根據權利要求16所述的工藝，其特征在于所述用于制成隆起部件(7)的材料為聚酰亞胺。

18.根據權利要求16或17所述的工藝，其特征在于為了調整顏色和/或蠕變強度，給用于制作隆起部件(7)的所述材料加入至少一種礦物填加劑。

19.根據權利要求16至18中任一項所述的工藝，其特征在于把包含玻璃微粒的填加劑加入到構成隆起部件(7)的材料中。

20.一種等離子體面板，其特征在于使用權利要求1至19中任一項工藝制作。

21.一種等離子體面板，它包含第一和第二基板(2，3)，它們被密封件(14)所密封，其特征在于密封件(14)由環氧樹脂或聚乙烯丁酸酯(PVB)類材料制成。