[其他]具有一連續漸變帶隙半導體區域的半導體器件無效
| 申請號： | 87107592 | 申請日： | 1987-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN87107592A | 公開（公告）日： | 1988-10-12 |
| 發明（設計）人： | 齋藤惠志;藤岡靖 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/14 | 分類號： | H01L29/14;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 李強 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種改進的半導體器件，諸如改進的漸變帶隙晶體管和改進的漸變帶隙二極管，其特征在于該器件由含有硅原子、調節帶隙的原子和降低定域能級的原子的非單晶材料構成，并且該器件至少在非結位置的一個方位上還具有一個帶隙連續漸變的區域，而且只有導帶和價帶之一是連續漸變的。即顯著地改善了頻率特性，又改善了光敏效應。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 具有 連續 漸變 半導體 區域 半導體器件 | ||
【主權項】：
1、一種半導體器件，該器件由含有硅原子、一種調節帶隙的原子和一種降低定域能級的原子的非單晶材料構成，該器件至少在非結位置的一個方位上還具有一個帶隙連續漸變的區域，並且只有導帶和價帶之一是連續漸變的。
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