[其他]具有一連續漸變帶隙半導體區域的半導體器件無效
| 申請號： | 87107592 | 申請日： | 1987-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN87107592A | 公開（公告）日： | 1988-10-12 |
| 發明（設計）人： | 齋藤惠志;藤岡靖 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/14 | 分類號： | H01L29/14;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 李強 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 連續 漸變 半導體 區域 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1、一種半導體器件，該器件由含有硅原子、一種調節帶隙的原子和一種降低定域能級的原子的非單晶材料構成，該器件至少在非結位置的一個方位上還具有一個帶隙連續漸變的區域，並且只有導帶和價帶之一是連續漸變的。
2、根據權利要求1所說的半導體器件，其中所說的調節帶隙的原子是一種擴展帶隙的原子。
3、根據權利要求2所說的半導體器件，其中所說的擴展帶隙的原子至少是一種從碳原子、氮原子和氧原子中選出來的原子。
4、根據權利要求1所說的半導體器件，其中所說的調節帶隙的原子是一種減小帶隙的原子。
5、根據權利要求4所說的半導體器件，其中所說的減小帶隙的原子至少是一種從鍺原子和錫原子中選出來的原子。
6、根據權利要求1所說的半導體器件，其中所說的降低定域能級的原子至少是一種從氫原子和氟原子中選出來的原子。
7、根據權利要求1所說的半導體器件，其中存在多個所說的區域。
8、一種由如權利要求1所說的半導體器件構成的晶體管。
9、一種由如權利要求1所說的半導體器件構成的二極管。
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