[其他]半導體器件及其制造方法無效
| 申請號： | 87102619 | 申請日： | 1987-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN87102619A | 公開（公告）日： | 1987-11-11 |
| 發明（設計）人： | 山岸英雄;山口美則;淺岡圭三;宏江昭彥;近藤正隆;津下和永;太和田善久 | 申請（專利權）人： | 鐘淵化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/06 | 分類號： | H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種具有多結的非晶形或微晶形半導體的光電器件，其中包含高濃度雜質的一或多層被插入在p型導電層和n型導電層之間。被插入的層形成一隧道結以提高光電轉換率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、一種實質上由非晶形和/或微晶形材料組成的半導體器件，其特征在于，它的多結結層包括一或多層摻以n型摻雜劑的n型層，一或多層摻以p型摻雜劑的p型層，以及至少一層包括一個高濃度的雜質并被插入所說p型和所說n型層間的薄層，從而促進載流子的復合。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
