1、一種實質上由非晶形和/或微晶形材料組成的半導體器件，其特征在于，它的多結結層包括一或多層摻以n型摻雜劑的n型層，一或多層摻以p型摻雜劑的p型層，以及至少一層包括一個高濃度的雜質并被插入所說p型和所說n型層間的薄層，從而促進載流子的復合。

2、根據權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說被插入的薄層位于所說p型層之上，并且比其余p型層具有較高的雜質濃度。

3、根據權利要求2的半導體器件，其特征在于，所說被插入的薄層具有在10-300埃范圍內的厚庹。

4、根據權利要求2的半導體器件，其特征在于，所說雜質主要包括p型摻雜劑。

5、根據權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說被插入的薄層位于所說n型層之上，并且比其余n型層具有較高的雜質濃度。

6、根據權利要求5的半導體器件，其特征在于，所說雜質主要包括n型摻雜劑。

7、根據權利要求5的半導體器件，其特征在于，所說較高濃度層具有在10-700埃范圍內的厚度。

8、根據權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說被插入薄層至少包括兩層較薄的層。

9、一種為具有非晶形結構類型的光電電池用的半導體器件，其特征在于，它包括：

一層n型層;

一層p型層;以及

一層在所說p型層和所說n型層間的邊界層，所說邊界層的雜質來自由氮、氧、鐵、銅和鍺組成的組合，其雜質濃度大于在所說n型和所說p型層中雜質的總濃度。

10、一種在半導體器件中的p-n或n-p結界面上促進電子-電子空穴復合的方法，其特征在于，該方法包括：

（a）形成一層具有摻進p型雜質的第一濃度的p型層，

（b）形成一層具有摻進p型雜質的第二濃度的n型層;以及

（c）在毗鄰所說界面的所說p型層或n型層上形成一濃度層，如該層配置在所說p型上，其濃度大于所說第一濃度，如該層配置在所說n型層上，則其濃度大于所說第二濃度。

11、一種在半導體器件中的p-n或n-p結界上促進電子-電子空穴復合的方法，其特征在于，該方法包括：

（a）形成一層具有摻進p型雜質的第一濃度的p型層;

（b）形成一層具有摻進n型雜質的第二濃度的n型層;以及

（c）在所說界面上形成一層邊界層，該邊界層的雜質來自由氮、氧、鐵、銅和鍺組成的組合，而且其濃度大于所說n型層和p型層中雜質的總濃度。