[其他]硫化鉛多晶薄膜的激光敏化方法無效
| 申請號： | 87102141 | 申請日： | 1987-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN87102141A | 公開（公告）日： | 1988-10-12 |
| 發明（設計）人： | 孫維國;胡榮武 | 申請（專利權）人： | 航空工業部第014中心 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01G9/20;G01J5/10 |
| 代理公司： | 航天工業部專利事務所 | 代理人： | 馬國祥,王淑慈 |
| 地址： | 河南洛陽*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明是關于PbS多晶薄膜紅外探測器制造工藝中的一種敏化方法，為解決敏化條件難掌握，重復性差等技術問題，我們采用激光照射代替管式高溫爐。該方法敏化速度快(約一分鐘左右一片)成品率高，敏化過程中可直接控制敏化情況，該方法為PbS多晶薄膜紅外探測器的制造提高了較好的敏化手段，敏化后器件的各性能參數與高溫法做的器件比相當。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 硫化鉛 多晶 薄膜 激光 方法 | ||
【主權項】：
1、一種關于PbS紅外光敏元件敏化工藝方法，包括在玻璃襯底上沉淀一層PbS薄膜，其特征在于，采取激光照射的方法做為敏化手段。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
